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第1次 模拟电子电路导论及二极管
第1次测验
1、单选题：
如果某个二极管外加正向电压为1.0V，那么下列哪类模型不适合用于该问题的分析？
答案: 理想二极管模型
2、单选题：
当PN结加正向电压时，空间电荷区的宽度将（）
答案: 变窄
3、单选题：
在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来快速判断二极管工作状态的是（）
答案: 理想二极管模型
4、单选题：
PN结的形成过程可以简述如下：
答案: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡
5、单选题：
一个50Hz正弦波输入全波整流器后，其输出信号的频率是（）
答案: 100Hz
6、单选题：
如果一个中间抽头全波整流器中有一个二极管开路，则输出信号表现为（）
答案: 半波整流后的波形
7、单选题：
齐纳二极管广泛应用于（）。
答案: 稳压器
8、单选题：
限幅电路如图所示，其设定的幅度上下限为（）。
答案: -3V, 6V
9、单选题：
判断如图所示电路中各二极管的工作状态。
答案: D1截止，D2导通
10、单选题：
限幅电路如图所示，稳压对管参数为VD(on) = 0.7V，VZ = 7.3V，rZ = 0Ω，则其设定的输出信号上下限为（）。
提示：这里的DZ叫稳压对管，里面包含两个一模一样、相对连接的齐纳二极管。
答案: -8V, 8V
11、单选题：
在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来进行快速分析电路参数的模型是（）。
答案: 恒压降模型
12、单选题：
为形成N型半导体，需要向本征半导体掺入（ ）价杂质，从而使得半导体内（ ）浓度大大增加。
答案: +5，自由电子
13、单选题：
为形成P型半导体，需要向本征半导体掺入（ ）价杂质，从而使得半导体内（ ）浓度大大增加。
答案: +3，空穴
14、多选题：
下列哪些信号可以作为模拟电路的处理对象?（）
答案: 正弦信号;
三角波信号
15、多选题：
下面对PN结单向导电性描述正确的是（）
答案: 正向导通，反向截止;
反偏时PN结等效为一个大电阻
16、多选题：
在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？
答案: 齐纳击穿;
雪崩击穿
17、判断题：
只要待处理信号足够小，且满足二极管小信号工作条件，我们就可以用二极管的小信号模型来分析该二极管对这个信号的响应。
答案: 错误
18、判断题：
齐纳二极管只能用作稳压用途。
答案: 错误
19、判断题：
整流电路中主要利用的是二极管的单向导电性。
答案: 正确
第2次 半导体器件——场效应管1
第2次测验
1、单选题：
某一电压放大器的幅频特性如图所示，其中频增益为____dB，上限截止频率为____Hz，下限截止频率为____Hz。
答案: 60；1000；0
2、单选题：
场效应管工作时，参与导电的载流子为（）。
答案: 多子
3、单选题：
MOSFET中的导电沟道是指其（）？
答案: 反型层
4、单选题：
NEMOSFET饱和区的工作条件为
，
。
答案: >, >
5、单选题：
某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3 kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（ ）kΩ 。
答案: 2
6、单选题：
在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的____电位，PMOS的衬底应接在电路的____电位。
答案: 最低，最高
7、单选题：
电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，
，忽略沟道长度调制效应，则电阻
=（ ）kΩ，
=（ ）kΩ。
答案: 3.25, 5
8、单选题：
已知某NMOS器件的Vt=1V，
，
=50V，且工作点电流
=0.5mA，则其小信号模型参数
=（ ）mA/V，
=( )kΩ。
答案: 1,100
9、多选题：
某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（ ）。
答案: 1000V/V;
60dB
10、多选题：
已知某N沟道增强型MOS场效应管的
。 下表给出了四种状态下
和
的值，试判断各状态下器件的工作状态。
答案: 状态1：截止区；状态2：饱和区;
状态3：变阻区；状态4：饱和区
11、多选题：
当
时，能够导通的MOS管为（ ）。
答案: NDMOSFET;
PDMOSFET
12、多选题：
若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（ ）。
答案: 该放大器为互导放大器;
理想情况下该放大器输入电阻极高;
理想情况下该放大器输出电阻极高
13、判断题：
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。
答案: 错误
14、判断题：
假设NEMOSFET已工作在饱和区，若继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。
答案: 错误
15、判断题：
在画放大器直流通路时，电容应短路，电感应开路。
答案: 错误
16、判断题：
如图所示电路，参考CS放大器传输特性曲线，随着
升高，MOSFET从饱和区变化到变阻区，临界条件是输入电压比输出电压低。
答案: 错误
17、判断题：
MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。
答案: 错误
第3次半导体器件及应用——场效应管2
第3次测验
1、单选题：
CD放大器具有较（ ）的输入电阻和较（ ）的输出电阻。
答案: 高，低
2、单选题：
CG放大器具有较（ ）的输入电阻和较（ ）的输出电阻。
答案: 低，高
3、单选题：
在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。
答案: 不变 不变 减小
4、单选题：
电路如图所示，如果电容C2开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。
答案: 不变 增大 增大
5、单选题：
I=0.5mA，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），要实现增益为15倍的放大电路，则RD=（）kΩ。
答案: 15
6、单选题：
VDD=VSS=10V，I=0.5mA，RG=4.7MΩ，RD=15kΩ，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），若输入信号由于某种原因，变为了原来的3倍（0.2V→0.6V），则我们改变电路结构由图a变为图b，以保持输出信号大小不变，则RS=（）kΩ。
(a) (b)
答案: 2
7、单选题：
用作电压放大器时，CS放大器不合适的参数为（ ）。
答案: 较高的输出电阻
8、单选题：
以下哪个MOS放大器组态结构，最适合用在电压信号处理系统的最后一级？
答案: CD组态
9、单选题：
CG放大器的性能描述合理的是（ ）。
答案: 可用作电流跟随器
10、多选题：
CS放大器中引入源极电阻RS，其作用有（ ）。
答案: 稳定静态工作点;
控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真;
降低电压增益
11、多选题：
CD放大器的性能特征有（ ）。
答案: 可作电压跟随器使用;
可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换
12、判断题：
CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。
答案: 正确
13、判断题：
CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。
答案: 错误
14、判断题：
CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致，因此被称为“源极跟随器”。
答案: 正确
15、判断题：
源极上接有RS的CS放大器以牺牲增益为代价，换取放大器线性输入范围的扩展，因此这个RS越大越好。
答案: 错误
16、判断题：
CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定，跟输入信号大小无关。
答案: 错误
第4次 半导体器件及应用——晶体三极管
第4次测验
1、单选题：
发射结（EBJ）正偏，集电结（CBJ）反偏时，BJT工作在（ ）模式。
答案: 放大
2、单选题：
集电结由于轻掺杂，因此其正向导通电压与发射结不相同，则工程上一般对NPN型的三极管取VBC(on)一般大小为（ ）V。（提示：注意
）
答案: 0.4
3、单选题：
在放大模式下，集电极电流与基极电流之间的电流增益可表示为（ ）
答案: β
4、单选题：
设图中三极管为硅管，β=50，VBE(on)=0.7V，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区。（）
答案: 放大区
5、单选题：
试判断如图所示电路的三极管的工作状态，已知β=100,VBE(on)=0.7V。
答案: 放大区
6、单选题：
晶体三极管工作在放大状态时，发射结加 电压，集电结加 电压。
答案: 正偏、反偏
7、单选题：
对于NPN型BJT组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压 失真；若产生截止失真，则输出电压 失真。（负峰、正峰）
答案: 负峰、正峰；
8、单选题：
测量某BJT各电极对地电压值如下，
，则该晶体管工作在（ ）。
答案: 饱和区
9、单选题：
如图所示电路中，某放大电路中的器件（三极管或场效应管）三个电极A、B、C的电流用万用表直流电流档测得_=2mA，_B=0.02mA，_C=-2.02mA，则此器件的类型是（）
答案: PNP
10、单选题：
测得某放大器中BJT的三个电极1、2、3的对地电位分别为V1=9V，V2=6V，V3=6.7V，则此BJT器件的类型为（）
答案: NPN
11、多选题：
下列对BJT小信号模型描述正确的语句有（ ）。
答案: 小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式;
电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了
12、多选题：
如图(a)所示的共射放大电路，加入射极反馈电阻RE后变为图(b)，电路性能出现了怎样的变化？
(a) (b)
答案: 增益变小;
线性输入范围变大;
输入电阻变大
13、多选题：
晶体三极管放大器直流偏置参数一般包括（ ）。
答案: 
;
;
;
14、多选题：
CB放大器性能特征有（ ）。
答案: 输入电阻极低，不利于电压放大;
输出电阻较高，不利于电压放大;
电流增益小于1但接近于1，可作电流跟随器
15、多选题：
CC放大器性能特征有（ ）。
答案: 输入电阻高;
输出电阻极低;
电压增益小于1，但接近于1;
电压跟随器，适合作放大器的缓冲级
16、多选题：
放大电路如图所示，则下面的说法正确的是（）
答案: 该电路为共集电极放大器（射极跟随器）;
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1
17、多选题：
放大器电路如图所示，如果电容E 失效（断开），请问对放大 器输入电阻和电压增益有何影响( )
答案: 输入电阻增大;
电压增益 减小
18、判断题：
共集电极放大电路的特点是：输入电阻Ri 较高
答案: 正确
19、判断题：
共集电极放大电路的特点是：输出电阻Ro较高
答案: 错误
20、判断题：
共集电极放大电路的电压放大倍数Av约为1V/V。
答案: 正确
21、判断题：
由于BJT器件在放大模式下的IB电流不够小，因此其分压式偏置电路的分析比FET要复杂得多，尤其是基极电压VB不能直接靠分压器分压求解。
答案: 正确
22、判断题：
工程估算法在计算BJT分压式偏置电路工作点时，需要满足一定的工程条件才能使用，该工程条件实际上隐含了“偏置电阻取值使得IB电流足够小，从而可以忽略其对分压器电流的分流”这一重要前提。
答案: 正确
23、判断题：
晶体管三种基本组态放大电路中，共基组态输入电阻最低，输出电阻最低。
答案: 错误
24、判断题：
NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
答案: 错误
第5次 集成运放单元电路1
第5次测验
1、单选题：
在集成电路中，最常用于多级放大器连接的耦合方式为（ ）。
答案: 直接耦合
2、单选题：
如图所示，已知(W/L)1 = (W/L)2 = 0.5(W/L)3，(W/L)4 = 0.25(W/L)5，假设所有晶体管其他参数均匹配，且都工作在饱和区，求电路中的I2和I5的大小。
答案: I2=10μA，I5=80μA
3、单选题：
针对以MOS为核心的镜像电流源电路，描述错误的是（ ）。
答案: 只要参考支路上的MOS器件工作在饱和区，电路就能正常工作
4、单选题：
差分放大器输入信号分别为
，则其差模信号与共模信号分别为（ ）。
答案: 
5、多选题：
一般电压型集成运放内部结构主要包括（ ）。
答案: 具有抑制噪声输入功能的差分输入级;
具有高增益的中间放大级;
具有较大驱动能力的功率输出级;
具有较高稳定性的恒流源偏置结构
6、多选题：
在下列描述中哪些方法可以改变电流源电路的电流传输比：
答案: 改变MOS电流源中两个MOS管的沟道宽长比大小;
改变BJT电流源中两个BJT管的发射结面积大小
7、多选题：
下列参数中哪些是描述差分放大器性能优劣的特有的指标
答案: 差模增益;
共模增益;
共模抑制比
8、多选题：
下列对差分对的描述正确的是
答案: 在电路结构、工作原理和分析方法等各方面，BJT差分对与MOS差分对高度相似;
在同样偏置的条件下，与MOS差分对相比，BJT差分对的差模增益和共模抑制比更高;
BJT差分对的线性输入范围比MOS差分对更小，需增加射极电阻，以牺牲增益为代价来换取性能的改善;
BJT差分对的差模输入电阻很小，可通过增加射极电阻或采用组合管的方式来解决
9、多选题：
选用差分放大器作为多级放大器第一级的主要原因是
答案: 克服温漂;
抑制噪声输入
10、多选题：
如图电路，假设所有BJT均参数匹配，
，且β都很大，则可得（ ）。
答案: 
;
;
;
11、多选题：
与偏置及电路结构均相同的MOS差分放大器相比，BJT差分放大器的性能描述合理的是（ ）。
答案: 共模抑制比更高;
差模电压增益更高;
差模输入电阻更小
12、判断题：
为了实现电路设计的微型化，集成电路设计中应尽量避免使用参数很大的无源器件。
答案: 正确
13、判断题：
不论是纯差模输入还是纯共模输入，差分放大器对信号的输入范围都是有要求的，而且要求不同。
答案: 正确
14、判断题：
MOS基本差分放大电路单端输出和双端输出具有相同的增益大小。
答案: 错误
15、判断题：
用下图所示的NMOS构造一个实际电流源，假设
恒定不变，则该电流源输出电阻为1/gm
答案: 错误
16、判断题：
实际电流源的输出电阻越小越好。
答案: 错误
17、判断题：
输出电流和输出电阻是限制实际电流源性能的两个重要因素。
答案: 正确
18、判断题：
如图所示的MOS电流源电路，若通过调节R1和R2比例使得晶体管VT的输出电流
增大，则会使得电流源输出电阻减小，从而降低电流源性能。
答案: 正确
19、判断题：
差分放大器的增益和输出信号交流摆幅是一对矛盾，增益的增加将导致输出信号交流摆幅的下降。
答案: 正确
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