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1基本半导体器件
第一单元测试
1、单选题:
在 半导体中,自由电子的浓度大于空穴浓度。
A: 本征
B: P型
C: N型
D: 以上都是
答案: N型
2、单选题:
当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流。
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 不确定
答案: 大于
3、单选题:
下图所示电路中,D为硅二极管。当VS = 5V时,测得流过二极管D的电流为1mA。若提高VS至10V,则流过二极管D的电流为: 。
A: 2mA
B: 大于2mA
C: 小于2mA
D: 无法确定
答案: 大于2mA
4、单选题:
下图所示电路中,D为硅二极管,VS = 5V。在温度为20°时,测得二极管D的两端电压为0.7V。若提高温度至40°,则二极管D的两端电压为: 。
A: 0.7V
B: 大于0.7V
C: 小于0.7V
D: 无法确定
答案: 小于0.7V
5、单选题:
下图所示电路中,D1、D2均为理想二极管,则它们的通断状态分别为: 。
A: 导通、导通
B: 导通、截止
C: 截止、导通
D: 截止、截止
答案: 导通、截止
6、单选题:
在正常工作的放大电路中,测得某晶体三极管的各极对地电压分别为:0V、-0.7V、-5V。则,0V所对应的是三极管的: 。
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 无法确定
答案: 发射极
7、单选题:
在正常工作的放大电路中,测得某晶体三极管的三极电流如下图所示。
已知II = -1.2mA,I2 = -0.03mA,I3 =1.23mA。则,此晶体管的类型是: 。
A: NPN
B: PNP
C: NPN和PNP都可以
D: 无法确定
答案: PNP
8、单选题:
温度升高时,晶体管的电流放大系数β 。
A: 升高
B: 降低
C: 不变
D: 无法确定
答案: 升高
9、单选题:
下图所示电路的组态是: 。
A: 共基
B: 共集
C: 共射
D: 以上都不是
答案: 共集
10、单选题:
某场效应管的转移特性如下图所示,此场效应管是: 。
A: N沟道增强型
B: P沟道增强型
C: N沟道耗尽型
D: P沟道耗尽型
答案: P沟道增强型
11、单选题:
某场效应管的输出特性如下图所示,此场效应管是: 。
A: N沟道增强型
B: P沟道增强型
C: N沟道耗尽型
D: P沟道耗尽型
答案: N沟道耗尽型
12、单选题:
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应: 。
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
答案: 大于0
13、单选题:
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应: 。
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
答案: 大于0
14、单选题:
N沟道耗尽型场效应管中,栅源电压VGS越大,其导电能力将: 。
A: 越强
B: 越弱
C: 不变
D: 无法确定
答案: 越强
15、单选题:
N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS: 。
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 无法确定
答案: 无法确定
16、多选题:
在正常工作的放大电路中,测得某晶体三极管的某两极对地电压分别为:0V、-5V。则,剩下一极的对地电压有可能是以下的 。
A: -5.7V
B: -4.3V
C: -0.7V
D: 0.7V
答案: -5.7V;
-4.3V;
-0.7V;
0.7V
17、填空题:
下图所示电路中,D1、D2均为理想二极管,二极管D2的两端电压为: V。
答案: -12
18、填空题:
下图所示电路中,VI = 8V,RL = 250Ω,稳压二极管正常工作时的VZ = 5V,IZ = 10mA。则,限流电阻R的阻值为: Ω。
答案: 100
19、填空题:
下图所示电路中,已知VB = 5.7V,VC = 15V,Rb = 100kΩ,Rc = 2kΩ,β = 100。则VCE为: V。
答案: 5
20、填空题:
下图所示电路中,已知VB = 5.7V,VC = 15V,Rb = 50kΩ,Rc = 2kΩ,β = 100。则VCE为: V。
答案: 0.3
2基本放大电路分析
第二单元测试
1、单选题:
如下图(a)为三极管构成放大电路原理图,为输入信号,图(b)为放大电路输出特性图,假定Q点为输出静态工作点,则:当电阻减小时,图中负载线应该( )。
A: 向左下方平移
B: 向右上方平移
C: 斜率变平缓
D: 斜率变陡
答案: 斜率变陡
2、单选题:
如下图(a)为三极管构成放大电路原理图,为输入信号,图(b)为放大电路输出特性图,假定Q点为输出静态工作点,则:当偏置电源增加时,图中负载线应该( )。
A: 向左下方平移
B: 向右上方平移
C: 斜率变平缓
D: 斜率变陡
答案: 向右上方平移
3、单选题:
如下图(a)为三极管构成放大电路原理图,为输入信号,图(b)为放大电路输出特性图,假定Q点为输出静态工作点,则:当偏置电源增加时,图中工作点Q对应的将( )。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法确定
答案: 不变
4、单选题:
如下图(a)为三极管构成放大电路原理图,为输入信号,图(b)为放大电路输出特性图,假定Q点为输出静态工作点,则:输入信号在正半周增加时,图中工作点Q将在负载线上( )。
A: 向上移动
B: 向下移动
C: 不变
D: 无法确定
答案: 向上移动
5、单选题:
下图为场效应管电路和它的输出特性曲线,若Rg=1MΩ,Rd=5 kΩ,则从图中可知场效应管工作在( )。
A: 可变电阻区
B: 放大区
C: 截止区
D: 临界饱和
答案: 可变电阻区
6、单选题:
在下图所示的电路中,如空载时(即RL开路)调节Rb,使,若ICEO,VCES均忽略不计。问接上负载RL后,逐渐加大输入信号,输出电压首先出现什么失真?
A: 截止失真
B: 饱和失真
C: 同时出现上述两种失真
D: 交越失真
答案: 截止失真
7、单选题:
如图所示三极管构成基本电路,VCC=15V,Rb=390kΩ,Rc=3.1kΩ,β=100
可判定三极管工作在 ( )。
A: 放大区
B: 截止区
C: 饱和区
D: 不定
答案: 放大区
8、单选题:
如图所示三极管构成基本电路,VCC=18V,Rb=310kΩ,Rc=4.7kΩ,β=100
可判定三极管工作在 ( )。
A: 放大区
B: 截止区
C: 饱和区
D: 不定
答案: 饱和区
9、单选题:
单管直接耦合放大电路如图所示,设VCES=0V。已知Av=-10,且当VI=1V时,VO=6V,则当VI=1.01V时,VO为( )。
A: 10.1V
B: 5.9V
C: 6.1V
D: -10.1V
答案: 5.9V
10、单选题:
单管直耦放大电路如图所示,设VCES=0V。已知Av=-10,且当VI=1V时,VO=6V,则当VI=0 V时,VO为( )。
A: 16V
B: 0V
C: 10V
D: 6V
答案: 10V
11、单选题:
为了使高输出电阻的放大电路与低电阻负载很好地配合,通常可以在放大电路与负载之间接入_______组态的三极管放大电路。
A: 共基
B: 共射
C: 共集
D: 不能确定
答案: 共集
12、单选题:
N沟道结型场效应管工作在线性放大区时, ( )
A: VGS为正电压,VDS为正电压
B: VGS为正电压,VDS为负电压
C: VGS为负电压,VDS为正电压
D: VGS为负电压,VDS为负电压
答案: VGS为负电压,VDS为正电压
13、判断题:
共射放大电路只能放大电压,不能放大电流。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
14、判断题:
共集放大电路只能放大电流,不能放大电压。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
15、判断题:
为使高阻信号源与低阻负载很好地配合,可以在两者间插入共集电路。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
16、判断题:
任何单管放大电路的输入电阻均与负载电阻无关。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
17、判断题:
任何单管放大电路的输出电阻均与负载电阻无关。
A: 正确
B: 错误
答案:
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