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第二周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第1章半导体二极管及其应用自测题
1、 本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是
答案: 等于
2、 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 。
答案: 掺杂浓度
3、 在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大。
答案: 温度
4、 在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度 。
答案: 越低
5、 N型半导体 。
答案: 呈电中性
6、 温度升高，N型半导体的电阻率 。
答案: 将增大
7、 环境温度升高，二极管的反向饱和电流
答案: 将增大
8、 普通二极管的正向电压降温度系数 。
答案: 为负
9、 确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
答案: IF，UR
10、 对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压 。
答案: 将升高
11、 二极管的反偏电压升高，其结电容 。
答案: 减小
12、 硅二极管的死区电压约为 。
答案: 0.5V
13、 二极管的伏安特性表示式为 。
答案: 
14、 已知二极管的静态工作点UD和ID，则其静态电阻为 。
答案: UD/ID
15、 已知二极管的静态工作点UD和ID，则其动态电阻为 。
答案: 
16、 某硅二极管在正向电压
时，正向电流
。若
增大到0.66V，则电流
约为 。
答案: 100mA
17、 当环境温度升高时，二极管的正向电压将 ，反向饱和电流将 。
答案: 减小，增大
18、 当PN结正向偏置时，耗尽层 。当PN结反向偏置时，耗尽层 。
答案: 变窄，变宽
19、 电路如图所示。其中限流电阻R=2kΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V，正向压降为0.7V，动态电阻可以忽略。试求a,b,c,d各电路输出端A、B两端之间电压UAB的值。
答案: 14V，6V，6.7V，0.7V
20、 设图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管D或D1是导通还是截止。
答案: 截止，导通，导通，截止
第三周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题（1）
1、 晶体管能够放大的外部条件是 。
答案: 发射结正偏，集电结反偏
2、 当晶体管工作于饱和状态时，其 。
答案: 发射结正偏，集电结正偏
3、 硅晶体管的死区电压约为 。
答案: 0.5V
4、 锗晶体管的导通压降|UBE|约为 。
答案: 0.3V
5、 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为 。
答案: 60
6、 温度升高，晶体管的电流放大系数b 。
答案: 增大
7、 温度升高，晶体管的管压降|UBE| 。
答案: 减小
8、 温度升高，晶体管输入特性曲线 。
答案: 左移
9、 温度升高，晶体管输出特性曲线的间隔 。
答案: 增大
10、 当晶体管的集电极电流
时，下列说法正确的是 。
答案: 晶体管的b一定减小
11、 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为 。
答案: PNP型锗管
12、 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管 。
答案: 已损坏
13、 对于电压放大器来说， 越大，电路的放大能力越强。
答案: 输入电阻
14、 对于电压放大器来说， 越小，电路带负载的能力越强。
答案: 输出电阻
15、 在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中，若输入电压为正弦波，输出波形的底部被削平，则这种失真是 失真。
答案: 饱和
16、 一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压
的幅度时，输出电压
的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应 。
答案: 减小
17、 17. NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为 。
答案: （d）
18、 引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_。
答案: （d）晶体管参数随环境温度的变化而变化
19、 在放大电路中，直流负反馈可以__。
答案: （d）稳定电路的静态工作点
20、 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载后输出电压降为3 V，则此电路的输出电阻为 。
答案: （b）1kW
21、 已知图示放大电路中的
W，
W，
,晶体管的
，
。那么，该晶体管处于何种状态？ 。
答案: （b）饱和状态
22、 在上题中，若晶体管的
。该晶体管处于何种状态？_。
答案: （a）放大状态
23、 在21题中，若晶体管的， 当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现何种失真？_。
答案: (a) 饱和
24、 若三级放大电路的
，
，则电路的放大倍数为 。
答案: (d) 10000
25、 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，
W，
W。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为______。
答案: （b）32dB
26、 已知图示放大电路中的W，W，,晶体管的，。那么，该晶体管处于何种状态？ 。
答案: （b）饱和状态
27、 已知图示放大电路中的W，W，,晶体管的。若晶体管的。该晶体管处于何种状态？_。
答案: （a）放大状态
28、 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，W，W。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为______。
答案: （b）32dB
29、 某放大电路在负载开路时的输出电压为10V，接入5k
负载后输出电压降为3 V，则此电路的输出电阻为 。
答案: 50/3k
30、 对于电流放大器来说，则希望输入电阻 越好，输出电阻 越好。
答案: 越小，越大
31、 晶体管电路如图所示，已知各晶体管的
=50。试分析电路中晶体管的工作状态。
答案: 饱和
32、 晶体管电路如图所示，已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。
答案: 截止
33、 晶体管电路如图所示，已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。
答案: 放大
第五周：第2章半导体晶体管及放大电路基础、第3章场效应晶体管及其放大电路 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题（2）
1、 在放大电路幅频响应（波特图）曲线中，在上限截止频率
和下限截止频率
频率点处，电压增益比中频区增益下降了3dB，亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的_倍。
答案: 
2、 多级放大电路的级数愈多，其上限截止频率fH ___。
答案: 越低
3、 已知某放大电路由放大倍数完全相同的两个单级放大电路组成，那么，在组成它的单级放大电路的截止频率处，电路的放大倍数下降了_ 。
答案: 6dB
4、 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移___。
答案: 越大
5、 晶体管的共射截止频率
、共基截止频率
及特征频率
三者之间的大小关系是___。
答案: 
6、 已知某晶体管的
，
。当其工作频率为
时，
。
答案: 3MHz
7、 两级放大电路中，已知
，
；
，
。则:（1）放大电路的下限截止频率
答案: 55Hz
8、 在上题中：（2）放大电路的上限截止频率
。
答案: 24kHz
9、 一放大电路如图所示，其中
和
为负载电阻和负载电容。（1）当增大
的容量时，该放大电路的
；
答案: 减小
10、 在上题中：（2）当
的容量减小时，该电路的
。
答案: 提高
11、 在上题中：（3）当忽略晶体管的结电容时，该电路的
= 。
答案: 
12、 两级放大电路中，已知，；，。则:放大电路的下限截止频率 ,放大电路的上限截止频率 。
答案: 55Hz,24kHz
13、 一放大电路如图所示，其中和为负载电阻和负载电容。当增大的容量时，该放大电路的 ；
答案: 减小
14、 当的容量减小时，该电路的 。
答案: 提高
15、 某共射极放大电路如图所示，已知晶体管的rbb=100Ω,rb’e=900Ω,gm=0.04S,三极管的结电容等效输入电容Ci=500pF，等效输出电容C0忽略不计。计算中频电压放大倍数Ausm
答案: -36
16、 有一共基极放大电路如图所示。其中VCC= 24V、RB1 = 90kΩ、RB2=48kΩ、RC =RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ，电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管，其rbb’=80Ω、β=20。试估算静态工作点UCEQ值
答案: 15
17、 有一共基极放大电路如图所示。其中VCC= 24V、RB1 = 90kΩ、RB2=48kΩ、RC =RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ，电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管，其rbb’=80Ω、β=20。计算放大倍数Au
答案: 61.7
第六周：第3章场效应晶体管及其放大电路 第3章场效应晶体管及其放大电路自测题
1、 场效应管是利用___来控制漏极电流电子器件。
答案: 输入电压
2、 当场效应管的漏极电流IDQ从1mA变为2mA时，它的低频跨导 。
答案: 增大
3、 当ugs=0时， 不能够工作在恒流区的是 。
答案: 增强型MOS管
4、 随着uGS的增大，结型场效应管的漏源击穿电压U(BR)DS将如何变化？ 。
答案: 增大
5、 当场效应管工作于放大区时，耗尽型场效应管iD的数学表达式为： 。
答案: 
6、 增强型场效应管导通的必要条件是 。
答案: 
7、 某场效应管的
，
，
的方向是从漏极流出，则该管为 。
答案: 耗尽型PMOS
8、 与双极型晶体管比较，场效应管 。
答案: 放大能力弱
9、 N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>__, UDSQ>____。
答案: UGS(th) , UGSQ-UGS(th)
10、 
答案: 0
11、 一N型沟道增强型MOS场效应管放大电路如图所示。在线性放大条件下：
答案: 
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