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第1章绪论 第1章绪论单元测试
1、 晶闸管电路控制方式主要是采取何种控制方式？
A:相控
B:斩控
C:自控
D:不控
答案: 相控
2、 电力电子技术常使用大功率半导体器件有？
A:晶闸管
B:MOSFET
C:晶体管
D:IGBT
答案: 晶闸管;
MOSFET;
IGBT
3、 晶闸管属于半控型器件，对吗？
A:正确
B:错误
答案: 正确
4、 电力电子学是哪几方面知识的融合？
答案: 电力学，电子学，控制理论
第2章电力电子器件 第2章单元测试-不控-半控器件
1、 电力电子器件哪些功率损耗是主要的？
A:通态损耗
B:断态损耗
C:驱动损耗
D:控制损耗
答案: 通态损耗
2、 晶闸管的额定电流时，通态峰值电压降为？
A:0.5v
B:0.7v
C:5v
D:1.5v-2v
答案: 1.5v-2v
3、 晶闸管电路控制方式主要是采取何种控制方式？
A:相控
B:斩控
C:自控
D:不控
答案: 相控
4、 电力二极管的主要参数有:
A:正向平均电流
B:正向压降
C:反向重复峰值电压
D:最高工作结温
E:反向恢复时间
F:浪涌电流
答案: 正向平均电流;
正向压降;
反向重复峰值电压;
最高工作结温;
反向恢复时间;
浪涌电流
5、 电力电子器件的功率损耗有哪些？
A:通态损耗
B:断态损耗
C:开关损耗
D:正激损耗
答案: 通态损耗;
断态损耗;
开关损耗
6、 晶闸管有哪三个联接端？
A:阳极A
B:阴极K
C:门极（控制端）G
D:漏级D
答案: 阳极A;
阴极K;
门极（控制端）G
7、 以下有关表述正确的是：晶闸管是？
A:PNPN结构半导体器件
B:大功率半导体器件
C:半控型器件
D:不控型器件
答案: PNPN结构半导体器件;
大功率半导体器件;
半控型器件
8、 一般，在电力电子装置中，电力电子器件工作于线性放大状态？
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：开关状态
9、 晶闸管的定额电压为UR=max( UDRM ,URRM )？
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：UR=min( UDRM ,URRM )
10、 晶闸管模型可以看成是双晶体管模型？
A:正确
B:错误
答案: 正确
11、 晶闸管属于半控型器件，对吗？
A:正确
B:错误
答案: 正确
12、 晶闸管属于半控型器件，对吗？
A:正确
B:错误
答案: 正确
13、 电力二极管的基本性质？
答案: (以下答案任选其一都对)PN结的单向导电性;
单向导电性
14、 晶闸管流过最大工频正弦半波时，其额定电流IFR 和其均方根根电流IFrms ，之间是什么关系？ IFrms =______IFR
答案: 1.57
15、 使晶闸管维持导通所必需的最小电流，称为__电流IH
答案: 维持
16、 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流, 称为__电流 IL
答案: 擎住
17、 额定电流IFR -通态平均电流 IT(AV）定义为：国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40°C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大_____电流的平均值。
答案: 工频正弦半波
18、 晶闸管的结构其内部可以看成是什么样的结构？
答案: PNPN四层半导体结构
19、 晶闸管饱和导通过程可以用哪三个关键字概括？
答案: 正反馈
第2章电力电子器件 第2章单元测试-全控型器件
1、 电力MOSFET（Power MOSFET）有哪几个引脚？
A:栅极G
B:源极S
C:漏极D
D:门级G
答案: 栅极G;
源极S;
漏极D
2、 IGBT是电流驱动型器件？
A:正确
B:错误
答案: 错误
3、 IGBT模型结构可以看成是GTR和MOSFET的组合模型结构？
A:正确
B:错误
答案: 正确
4、 电力MOSFET可以承受双向电流？
A:正确
B:错误
答案: 正确
5、 BJT是全控型器件？
A:正确
B:错误
答案: 正确
6、 P-MOSFET是半控型器件?
A:正确
B:错误
答案: 错误
7、 P-MOSFET是正电压型驱动？
A:正确
B:错误
答案: 正确
第2章电力电子器件 第2章综合单元测试
1、 晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的 来表示的。
A:有效值
B:最大值
C:平均值
D:瞬时值
答案: 平均值
2、 比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是
A:IGBT
B:MOSFET
C:GTR
D:GTO
答案: MOSFET
3、 晶闸管在触发电流作用下被触发开通时，只要晶闸管中的电流达到某一临界值时，就可以把触发电流撤除，这时晶闸管仍然自动维持通态，这个临界电流值称为
A:擎住电流
B:维持电流
C:最小电流
D:最大电流
答案: 擎住电流
4、 在如下器件：属于全控型器件的是
A:IGBT
B:MOSFET
C:晶闸管
D:GTO
答案: IGBT ;
MOSFET ;
GTO
5、 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A:IGBT开关速度高于电力MOSFET
B:IGBT是电压驱动型器件
C:电力MOSFET存在二次击穿问题
D:IGBT具有擎住效应
答案: IGBT是电压驱动型器件;
IGBT具有擎住效应
6、 开关频率提高对变换器有什么影响？
A:开关频率的提高会使系统的动态响应加快
B:电力电子装置的体积将减小,有助于电力电子器件的小型化
C:变换器的输出纹波将减小
D:开关器件的开关损耗减小
答案: 开关频率的提高会使系统的动态响应加快;
电力电子装置的体积将减小,有助于电力电子器件的小型化;
变换器的输出纹波将减小
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