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第1章 半导体二极管及其基本应用第1周4课时
1.1.1随堂测验
1、单选题：
本征半导体中，若掺入的是 价元素，则形成N型半导体。
A: 3
B: 4
C: 5
D: 6
答案: 5
2、判断题：
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
3、判断题：
在绝对零度且无光照射时，本征半导体中没有价电子能够摆脱共价键的束缚。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
1.1.2随堂测验
1、单选题：
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
A: 温度
B: 掺入杂质元素的多少
C: 掺杂工艺
D: 晶格缺陷
答案: 掺入杂质元素的多少
2、判断题：
在本片半导体中如果掺入的是三价微量元素，则形成N型半导体。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
3、判断题：
少子是由本征激发所产生的，所以对光照和温度敏感。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
1.1.3随堂测验
1、单选题：
硅二极管正常工作时，反向电流很小，且其大小随反向电压的增大而 。
A: 增大
B: 减小
C: 基本不变
D: 击穿
答案: 基本不变
2、判断题：
PN结是由于漂移运动所形成的。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
3、判断题：
空间电荷区由不能移动的杂质离子所构成的。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
1.2.1随堂测验
1、单选题：
对于面接触型的二极管，下列说法正确的是 。
A: 可以承受较大电流，适合低频使用。
B: 可以承受较大电流，适合高频使用。
C: 可以承受较小电流，适合低频使用。
D: 可以承受较小电流，适合高频使用。
答案: 可以承受较大电流，适合低频使用。
2、判断题：
点接触型二极管适合于低频、小电流情况下使用。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
3、判断题：
当二极管用于大电流工作时，要求PN结的结面积大。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
1.2.2随堂测验
1、单选题：
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A: 减小
B: 不变
C: 增大
D: 不能判断
答案: 增大
2、单选题：
当温度升高时，二极管正反向特性曲线的特点是 。
A: 正向特性曲线左移，反向特性曲线上移。
B: 正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
C: 正向特性曲线右移，反向特性曲线上移。
D: 正向特性曲线右移，反向特性曲线下移。
答案: 正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
3、判断题：
锗管反向电流比硅管反向电流小得多。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
1.2.3随堂测验
1、单选题：
二极管的最高反向工作电压，通常规定为 。
A: 击穿电压
B: 击穿电压的一半
C: 击穿电压的二倍
D: 死区电压
答案: 击穿电压的一半
2、判断题：
当工作频率过高时，二极管将失去单向导电性。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
3、判断题：
二极管如果超过最大整流电流，就一定会烧坏。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
1.3.1随堂测验
1、单选题：
二极管导通后对大信号所呈现的电阻，称为二极管的 。
A: 直流电阻
B: 交流电阻
C: 导通电阻
D: 正向电阻
答案: 导通电阻
2、判断题：
二极管的模型主要有理想模型、恒压降模型和小信号模型。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
3、判断题：
在同时含有直流电源和小信号交变源的电路中，电流或电压的总量约等于静态量与动态量的叠加。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
1.3.2随堂测验
1、单选题：
当二极管回路电源电压较低时，采用 模型比较合理。
A: 恒压降
B: 理想
C: 恒流源
D: 小信号
答案: 恒压降
2、判断题：
二极管的直流电阻、导通电阻和交流电阻是三个不同的概念。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
3、判断题：
用模拟指针式万用表的电阻挡测量二极管正向电阻时，不同量程挡测得的正向电阻值是相同的。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
4、判断题：
对于既有直流电源又有小信号源的电路，应先采用恒压降模型估算工作点，再用小信号模型进行动态分析。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
1.4.1随堂测验
1、判断题：
只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
2、判断题：
利用二极管的正向特性也可以实现稳压。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
3、判断题：
正常情况下，稳压二极管工作在反向击穿区。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
1.4.2随堂测验
1、单选题：
光电二极管工作时需要加 偏置电压，工作于 状态。
A: 正向；导通
B: 正向；截止
C: 反向；导通
D: 反向；截止
答案: 反向；截止
2、单选题：
发光二极管 导通时发光，工作电流的典型值为 。
A: 正偏；20mA
B: 正偏；10mA
C: 反偏；20mA
D: 反偏；10mA
答案: 正偏；10mA
3、判断题：
光电二极管的光电流随光照强度的增大而上升。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
1.4.3随堂测验
1、单选题：
肖特基二极管的导通电压 ，大约为 。
A: 较高；0.7V
B: 较高；0.4V
C: 较低；0.7V
D: 较低；0.4V
答案: 较低；0.4V
2、单选题：
变容二极管在电路中的主要作用是 。
A: 稳压
B: 整流
C: 可变电容器
D: 发光
答案: 可变电容器
3、判断题：
发光二极管是一种通以正向电流会发光的二极管，使用时应加正偏电压，且串接合适的限流电阻。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
第1章单元测验
1、单选题：
半导体本征激发会成对产生 。
A: 自由电子
B: 空穴
C: 自由电子和空穴
D: 杂质离子
答案: 自由电子和空穴
2、单选题：
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 。
A: 增加
B: 减小
C: 不变
D: 为0
答案: 增加
3、单选题：
ＰＮ结外加正向电压时，耗尽层 。
A: 增厚
B: 变薄
C: 厚度不变
D: 厚度为0
答案: 变薄
4、单选题：
在室温27度时，硅二极管的死区电压大约为 V。
A: 0.3
B: 0.2
C: 0.5
D: 0.7
答案: 0.5
5、单选题：
在室温27度时，锗二极管的死区电压大约为 V。
A: 0.1
B: 0.2
C: 0.3
D: 0.5
答案: 0.1
6、单选题：
二极管反向饱和电流随着温度的升高而 。
A: 增加
B: 减小
C: 不变
D: 趋于0
答案: 增加
7、单选题：
发光二极管正常工作时需要施加 偏置电压。
A: 正向
B: 反向
C: 正向或反向
D: 0
答案: 正向
8、单选题：
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
A: 温度
B: 掺杂浓度
C: 光照
D: 外加电压
答案: 掺杂浓度
9、单选题：
半导体器件对 敏感，这会导致器件性能的不稳定。
A: 温度
B: 光照
C: 温度和光照
D: 掺杂浓度
答案: 温度和光照
10、单选题：
半导体二极管的重要特性之一是 。
A: 单向导电性
B: 滤波特性
C: 放大作用
D: 温度稳定性
答案: 单向导电性
11、单选题：
硅管的反向电流比锗管的反向电流 ，因此硅管的单向导电性和温度稳定性 。
A: 大得多；较差
B: 小得多；较好
C: 大得多；较好
D: 小得多；较差
答案: 小得多；较好
12、单选题：
如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管 。
A: 电流为0
B: 电击穿
C: 电流过大使管子烧坏
D: 正常导通
答案: 电流过大使管子烧坏
13、单选题：
锗二极管的开启电压为 。
A: 0.5V左右
B: 0.4V左右
C: 0.2V左右
D: 0.1V左右
答案: 0.2V左右
14、单选题：
当未加外部电压时， PN结中的电流 。
A: 为0
B: 从P区流向N区
C: 从N区流向P区
D: 为最小
答案: 为0
15、单选题：
PN结形成后，空间电荷区由 组成。
A: 电子
B: 空穴
C: 杂质离子
D: 价电子
答案: 杂质离子
16、单选题：
变容二极管在电路中的主要作用是 。
A: 发光
B: 可变电容器
C: 整流
D: 稳压
答案: 可变电容器
17、单选题：
流过二极管的正向电流增大时，其直流电阻将 。
A: 增加
B: 减小
C: 为0
D: 不变
答案: 减小
18、单选题：
在下列二极管中，需要正偏工作的是 。
A: 发光二极管
B: 光电二极管
C: 稳压二极管
D: 变容二极管
答案: 发光二极管
19、单选题：
二极管整流电路的作用，是将正弦电压变成 。
A: 余弦电压
B: 单向脉动电压
C: 双向脉动电压
D: 直流电压
答案: 单向脉动电压
20、判断题：
半导体二极管正向偏置，处在正常工作状态，即使流过管子的电流变化很大， 管子两端的电压变化也很小。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
21、判断题：
光电二极管正常工作时需要施加反向偏置电压。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
22、判断题：
在P型半导体中掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
23、判断题：
杂质半导体中，存在自由电子和空穴两种带电粒子。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
24、判断题：
杂质离子不能移动，因此不是载流子。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
25、判断题：
N型半导体因为其多子是自由电子，所以它带负电。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
26、判断题：
二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到，并应接有合适的降压电阻。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
27、判断题：
肖特基二极管导通电压比普通二极管低。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
28、判断题：
发光二极管反向击穿电压一般大于5V，为安全起见，一般工作在5V以下。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
29、判断题：
光电二极管反向电流随光照强度增加而上升。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
30、判断题：
稳压二极管工作在反向击穿区，但属于电击穿。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
31、判断题：
工程中分析包含有二极管的电路，多采用恒压降模型进行静态分析，再用小信号模型进行动态分析。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
32、判断题：
对包含多个二极管的电路进行分析时，要注意优先导通的管子会对其它管的工作状态产生影响。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
33、判断题：
理想二极管等效为一个理想压控开关，正偏时开关合上，反偏时开关断开。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
34、判断题：
二极管的伏安特性受温度影响较大，当温度升高时，正向特性曲线向右移，反向特性曲线向上移。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
35、判断题：
热击穿是可逆的，电击穿是不可逆的。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
36、判断题：
PN结两侧的电位差称为内建电位差，也叫接触电位差。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
37、判断题：
对小信号而言，二极管的伏安关系呈线性，因此可以用一个电阻来等效。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
38、判断题：
只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
39、判断题：
本征激发会成对产生自由电子和空穴。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
40、判断题：
纯净的半导体称为本征半导体。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
41、判断题：
N型半导体的多数载流子是电子。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
42、判断题：
P型半导体中的多数载流子是空穴。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
43、判断题：
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
44、填空题：
纯净且无杂质的半导体称为 。
答案: 本征半导体
45、填空题：
P型半导体中的多数载流子是 。
答案: 空穴
46、填空题：
N型半导体的多数载流子是 。
答案: 电子##%_YZPRLFH_%##自由电子
47、填空题：
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 。
答案: PN结##%_YZPRLFH_%##空间电荷区##%_YZPRLFH_%##耗尽层##%_YZPRLFH_%##阻挡层##%_YZPRLFH_%##势垒区
48、填空题：
半导体二极管的最重要的特点是具有 。
答案: 单向导电性
49、填空题：
变容二极管是一个非线性电容，电容量随反向电压增加而 。
答案: 减小##%_YZPRLFH_%##变小
50、填空题：
用万用表电阻挡测试二极管时，若正向电阻远 于反向电阻，说明二极管性能较好。
答案: 小##%_YZPRLFH_%##低
51、填空题：
用万用表电阻挡测试二极管，其正、反向电阻均为零，说明二极管内部已 。
答案: 短路##%_YZPRLFH_%##短接##%_YZPRLFH_%##热击穿
52、填空题：
稳压二极管是利用二极管的 特性实现稳压。
答案: 反向击穿##%_YZPRLFH_%##稳压
53、填空题：
光电二极管工作时需加 偏置电压。
答案: 反向
54、填空题：
稳压管使用时应串接 ，以保证反向电流不超过最大允许电流，避免热击穿。
答案: 限流电阻##%_YZPRLFH_%##降压电阻##%_YZPRLFH_%##电阻
第2章半导体三极管及其基本应用第2-3周10课时
2.1.1随堂测验
1、单选题：
晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
A: 高；低
B: 高；高
C: 低；低
D: 低；高
答案: 高；低
2、单选题：
在晶体管的图形符号中，NPN管发射电流方向是 的，PNP管的发射电流方向是 的。
A: 流入；流出
B: 流入；流入
C: 流出；流出
D: 流出；流入
答案: 流出；流入
3、判断题：
晶体管的图形符号中，箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2.1.2随堂测验
1、单选题：
晶体管具有电流大作用的外部条件是，发射结 ，集电结 。
A: 正偏；反偏
B: 正偏；正偏
C: 反偏；反偏
D: 反偏；正偏
答案: 正偏；反偏
2、单选题：
晶体管截止的条件是，发射结
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