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3. 半导体中杂质和缺陷能级
1-测试
1、单选题：
室温下，Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为（）埃。
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 2
2、单选题：
室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。
A: 2
B: 4
C: 6
D: 8
答案: 4
3、单选题：
Si晶体的第一布里渊区是个（）体。
A: 立方体
B: 正菱形12面体
C: 截角8面体
D: 球体
答案: 截角8面体
4、单选题：
费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（）
A: 0
B: 0.5
C: 1
D: 无穷大
答案: 1
5、单选题：
哪支能带的极值对应的电子有效质量最大？
A: 1
B: 2
C: 3
D: 无法判断
答案: 3
6、单选题：
空穴是一种假设出来的粒子。其有效质量为（），电荷为（）。
A: 正，负
B: 正，正
C: 负，正
D: 负，负
答案: 正，正
7、单选题：
Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中，其横向有效质量（）纵向有效质量。
A: =
B: >
C: <
D: 无法确定大小关系
答案: <
8、单选题：
随温度升高，Si的禁带宽度（）
A: 不变
B: 增加
C: 减小
D: 不清楚
答案: 减小
9、单选题：
Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。
A: 施主
B: 受主
C: 两性杂质
D: 中性杂质
答案: 受主
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