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第1章 半导体器件基础
第1章单元测验1
1、判断题：
(1) 半导体中的空穴是半导体中的晶格缺陷形成的。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
2、判断题：
(2) 半导体中的空穴是电子脱离共价键后留下的空位。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
3、判断题：
(3) 半导体中的空穴是带正电的离子。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
4、判断题：
(4) 本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
5、判断题：
(5) 本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都不变。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
6、判断题：
(6) 本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都增加，但增量相同。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
7、判断题：
(7) 掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
8、判断题：
(8) 在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
9、判断题：
(9) 由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
10、判断题：
(10) PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
11、判断题：
(11) PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
12、判断题：
(12) 稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（ ）。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
13、判断题：
(13) 稳压管是一种特殊的二极管，不允许工作在正向导通状态（ ）。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
14、判断题：
(14) 由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
15、判断题：
(15) 晶体三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
16、判断题：
(16) 测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
17、判断题：
(17) h参数模型可以用于输入为小信号、输出为大信号的情况。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
18、判断题：
(18) h参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
19、判断题：
(19) 晶体管的输入电阻
是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
20、判断题：
(20) 场效应管的跨导
。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
21、判断题：
(21) 场效应管的跨导
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
第1章单元测验2
1、单选题：
在____中，空穴浓度大于电子浓度。
A: P型半导体
B: 本征半导体
C: N型半导体
D: 不存在
答案: P型半导体
2、单选题：
在____中，空穴浓度等于电子浓度。
A: 本征半导体
B: P型半导体
C: N型半导体
D: 不存在
答案: 本征半导体
3、单选题：
在____中，空穴浓度小于电子浓度。
A: P型半导体
B: N型半导体
C: 本征半导体
D: 不存在
答案: N型半导体
4、单选题：
N型半导体是在纯净半导体中掺入____。
A: 带负电的电子
B: 带正电的离子
C: 三价元素，如硼等
D: 五价元素，如磷等
答案: 五价元素，如磷等
5、单选题：
P型半导体是在纯净半导体中掺入____。
A: 带负电的电子
B: 带正电的离子
C: 三价元素，如硼等
D: 五价元素，如磷等
答案: 三价元素，如硼等
6、单选题：
在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无规律变化
答案: 增大
7、单选题：
在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无规律变化
答案: 减小
8、单选题：
当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: B和C
答案: 大于
9、单选题：
当PN结外加正向电压时，耗尽层 。
A: 变窄
B: 变宽
C: 不变
D: 不存在
答案: 变窄
10、单选题：
当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A: 小于
B: 大于
C: 等于
D: A和C
答案: 小于
11、单选题：
当PN结外加反向电压时，耗尽层 。
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 不存在
答案: 变宽
12、单选题：
已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得
。当R从10kΩ 减小至5kΩ 时，I将____。
A: 为2μA 左右
B: 为0.5μA 左右
C: 变化不大
D: 远大于2μA
答案: 变化不大
13、单选题：
已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得
。保持U和R不变，温度下降10℃，I将____。
A: 为2μA 左右
B: 为0.5μA 左右
C: 变化不大
D: 远大于2μA
答案: 为0.5μA 左右
14、单选题：
设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在UD保持不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，ID将____。
A: 小于10mA
B: 大于10mA
C: 等于10mA
D: 不存在
答案: 大于10mA
15、单选题：
在如图所示的电路中，当
时，测得
,
。当U降至3V时，则I将为____。
A: 小于1mA
B: 1mA
C: 大于1mA，但小于2mA
D: 2mA
答案: 小于1mA
16、单选题：
在如图所示的电路中，当
时，测得
，
。保持U不变，温度下降20℃，则
将为____。
A: 小于0.7V
B: 0.7V不变
C: 大于0.7V
D: 与温度无关
答案: 大于0.7V
17、单选题：
NPN和PNP型晶体管的区别取决于____。
A: 半导体材料硅和锗的不同
B: 掺杂元素的不同
C: 掺杂浓度的不同
D: P区和N区的位置不同
答案: P区和N区的位置不同
18、单选题：
随着温度升高，晶体管的电流放大系数
____。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 与温度无关
答案: 增大
19、单选题：
随着温度升高，穿透电流
____。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 与温度无关
答案: 增大
20、单选题：
随着温度升高，在
不变的情况下b-e结电压
____。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 与温度无关
答案: 减小
21、单选题：
N沟道和P沟道场效应管的区别在于____。
A: 衬底材料前者为硅，后者为锗；
B: 衬底材料前者为N型，后者为P型；
C: 导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴。
D: 衬底材料前者为N型，后者也为N型
答案: 导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴。
第2章 放大器基础
第2章单元测验1
1、单选题：
放大电路中的静态分量是指__________。
A: 直流电源所提供的电压、电流
B: 电压、电流中不随输入信号变化的部分
C: 电压、电流中随输入信号变化的部分
D: 正弦交流输入、输出信号
答案: 电压、电流中不随输入信号变化的部分
2、单选题：
放大电路中的动态分量是指____。
A: 直流电源所提供的电压、电流
B: 电压、电流中不随输入信号变化的部分
C: 电压、电流中随输入信号变化的部分
D: 正弦交流输入、输出信号
答案: 电压、电流中随输入信号变化的部分
3、单选题：
在图示电路中 ，当输入电压为1kHz，5mV的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。这种失真是__________失真。
A: 截止
B: 饱和
C: 交越
D: 频率
答案: 饱和
4、单选题：
在图示电路中 ，当输入电压为1kHz，5mV的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。为了消除失真，应__________。
A: 增大
B: 增大
C: 减小
D: 减小
E: 换用
大的管子
答案: 增大
5、单选题：
电路如图所示，用直流电压表测出
，可能是因为_____。
A: 
过大
B: 
开路；
C: 
开路
D: 
过大
答案: 开路
6、单选题：
电路如图所示，用直流电压表测出
，可能是因为_____。
A: 
过大
B: 
短路
C: 
过大
D: 
过大
答案: 过大
7、单选题：
在共射、共集、共基组态三种放大电路中，只能放大电压、不能放大电流的是____。
A: 共射组态
B: 共集组态
C: 共基组态
D: 都不能
答案: 共基组态
8、单选题：
在共射、共集、共基组态三种放大电路中，只能放大电流不能放大电压的是____。
A: 共射组态
B: 共集组态
C: 共基组态
D: 都不能
答案: 共集组态
9、单选题：
在共射、共集、共基组态三种放大电路中，即能放大电压又能放大电流的是____。
A: 共射组态
B: 共集组态
C: 共基组态
D: 都不能
答案: 共射组态
10、单选题：
为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。电压放大倍数
比较大，应选____。
A: 
B: 
C: 
D: 不存在
答案:
11、单选题：
为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。带负载能力强，应选____。
A: 
B: 
C: 
D: 不存在
答案:
12、单选题：
为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。电压放大倍数
接近1，并且输出电压与输入电压反相，应选____。
A: 
B: 
C: 
D: 不存在
答案:
13、单选题：
直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是( )。
A: 所放大的信号不同
B: 交流通路不同
C: 直流通路不同
D: 交直流通路都不同
答案: 直流通路不同
14、单选题：
阻容耦合放大电路( )。
A: 各级静态工作点Q相互独立
B: Q点相互影响
C: 各级Au相互影响
D: 各级Au相互不影响
答案: 各级静态工作点Q相互独立
15、单选题：
阻容耦合放大电路( )。
A: 温漂小
B: 能放大直流信号
C: 放大倍数稳定
D: 静态工作点相互影响
答案: 温漂小
16、单选题：
阻容耦合放大电路(____) .
A: 温漂大
B: 不能放大直流信号
C: 放大倍数不稳定
D: 静态工作点相互影响
答案: 不能放大直流信号
17、单选题：
直接耦合与阻容耦合多级放大电路之间主要不同点是(____)。
A: 所放大的信号不同
B: 交流通路不同
C: 直流通路不同
D: 交直流通路都不同
答案: 直流通路不同
18、单选题：
四种两级放大电路的结构框图如图(a)～(d)所示，在通常电路元器件参数情况下，输出电阻
最小的是 。
A: (a)
B: (b)
C: (c)
D: (d)
答案: (b)
第2章单元测验2
1、判断题：
组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含直流电源（ ）。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
对于双极型晶体管放大电路来说，发射结必须加上正向偏置，集电结必须加上反向偏置（ ）。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
3、判断题：
对于双极型晶体管放大电路来说，基极电源应为正电源，集电极电源应为负电源（ ）。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
4、判断题：
组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（ ）。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
5、判断题：
有源器件是指：为满足晶体管正常工作条件，需加上的直流电源（ ）。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
6、判断题：
放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的变化量之比，因此它与静态工作点无关。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
7、判断题：
图解法适用于高频大信号情况。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
8、判断题：
放大电路如图所示，设电容的容量足够大。因为有
的旁路作用，所以
变化对
、
无影响。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
9、判断题：
放大电路如图所示，设电容的容量足够大。当
增大时，
则减小，因此
减小，
增大。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
10、判断题：
共基放大电路的电流放大倍数小于1。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
11、判断题：
共基放大电路的电流放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
12、判断题：
图示放大电路具备以下特点：电流放大倍数
小于1。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
13、判断题：
图示放大电路具备以下特点：没有功率放大能力。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
14、判断题：
图示放大电路具备以下特点：输入电阻很小。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
15、判断题：
共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
16、判断题：
图示放大电路具备以下特点：电压放大倍数接近于1，负载
是否接通关系不大；（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
17、判断题：
图示放大电路具备以下特点：输出电阻比2kΩ小得多。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
18、判断题：
图示放大电路具备以下特点：输入电阻几乎是
的
倍。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
19、判断题：
场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
20、判断题：
场效应管的输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
21、判断题：
放大电路的直流通路是指输入信号等于零时，由直流电源作用的那一部分电路。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
22、判断题：
场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
23、判断题：
场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输出电阻也很大。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
24、判断题：
设图示电路中的电容足够大，对交流信号可视为短路。当增大
时，
减小，
随之减小。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
25、判断题：
设图示电路中的电容足够大，对交流信号可视为短路。当增大
时，输入电阻
随之增大。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
26、判断题：
设图示电路中的电容足够大，对交流信号可视为短路。 当减小
时，
增大，跨导和
随之增大。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
27、判断题：
共漏放大电路电压放大倍数总是小于1。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
28、判断题：
共漏放大电路电压放大倍数总是小于1，所以不能实现功率放大。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
29、判断题：
设图示电路中的电容足够大，对交流信号可视为短路。由于
的旁路作用，所以
的增加对
无影响。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
30、判断题：
设图示电路中的电容足够大，对交流信号可视为短路。当
增大时，
减小，跨导
随之减小，因此
减小。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
31、判断题：
直流放大器必须采用直接耦合方式。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
32、判断题：
直流放大器无法放大交流信号（ ）。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
第3章 集成运算放大器与模拟乘法器
第3章 单元测验1
1、判断题：
双端输入差分放大电路的共模输入信号等于两输入端信号的平均值。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
单端输入差分放大电路的差模输入信号等于该输入端信号的大小。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
3、判断题：
双端输入差分放大电路的差模输入信号等于两输入端信号的差值。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
4、判断题：
单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半。（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
5、判断题：
判断下列说法的正确性，设元件参数改变不会使VT1、VT2处于截止或饱和状态。
当Re增大时，则静态工作电流IC1减小（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
6、判断题：
判断下列说法的正确性，设元件参数改变不会使VT1、VT2处于截止或饱和状态。
当Re增大时，差模电压放大倍数
不变（ ）
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
7、判断题：
判断下列说法的正确性，设元件参数改变不会使VT1、VT
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