21秋冬模电-林平(浙江大学)1464293172 中国大学MOOC答案100分完整版

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1 基本半导体器件

第一单元测试

1、单选题:
‏在            半导体中,自由电子的浓度大于空穴浓度。‍

A: 本征
B: P型
C: N型
D: 以上都是
答案:  N型

2、单选题:
‍当PN结外加正向电压时,扩散电流            漂移电流。‍

A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 不确定
答案:  大于

3、单选题:

下图所示电路中,D为硅二极管。当VS = 5V时,测得流过二极管D的电流为1mA。若提高VS10V,则流过二极管D的电流为:            

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A: 2mA
B: 大于2mA
C: 小于2mA
D: 无法确定
答案:  大于2mA

4、单选题:

下图所示电路中,D为硅二极管,VS = 5V。在温度为20°时,测得二极管D的两端电压为0.7V。若提高温度至40°,则二极管D的两端电压为:            

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A: 0.7V
B: 大于0.7V
C: 小于0.7V
D: 无法确定
答案:  小于0.7V

5、单选题:

下图所示电路中,D1D2均为理想二极管,则它们的通断状态分别为:            

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A: 导通、导通
B: 导通、截止
C: 截止、导通
D: 截止、截止
答案:  导通、截止

6、单选题:
‏在正常工作的放大电路中,测得某晶体三极管的各极对地电压分别为:0V、-0.7V、-5V。则,0V所对应的是三极管的:            。​

A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 无法确定
答案:  发射极

7、单选题:

在正常工作的放大电路中,测得某晶体三极管的三极电流如下图所示。
已知II = -1.2mAI2 = -0.03mAI3 =1.23mA。则,此晶体管的类型是:            

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A: NPN
B: PNP
C: NPN和PNP都可以
D: 无法确定
答案:  PNP

8、单选题:
‍温度升高时,晶体管的电流放大系数β            。‎

A: 升高
B: 降低
C: 不变
D: 无法确定
答案:  升高

9、单选题:

下图所示电路的组态是:            

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A: 共基
B: 共集
C: 共射
D: 以上都不是
答案:  共集

10、单选题:

某场效应管的转移特性如下图所示,此场效应管是:            

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A: N沟道增强型
B: P沟道增强型
C: N沟道耗尽型
D: P沟道耗尽型
答案:  P沟道增强型

11、单选题:

某场效应管的输出特性如下图所示,此场效应管是:            

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A: N沟道增强型
B: P沟道增强型
C: N沟道耗尽型
D: P沟道耗尽型
答案:  N沟道耗尽型

12、单选题:
‏由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应:            。‏

A: 大于0 
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
答案:  大于0 

13、单选题:
‎由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应:            。​

A: 大于0 
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
答案:  大于0 

14、单选题:
‍N沟道耗尽型场效应管中,栅源电压VGS越大,其导电能力将:            。‏

A: 越强
B: 越弱
C: 不变
D: 无法确定
答案:  越强

15、单选题:
‎N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS:            。‍

A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 无法确定
答案:  无法确定

16、单选题:

下图所示电路中,VI = 8VRL = 250Ω,稳压二极管正常工作时的VZ = 5VIZ = 10mA。则,限流电阻R的阻值为:            


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A: 250
B: 200
C: 150
D: 100
答案:  100

17、单选题:

下图所示电路中,已知VB = 5.7VVC = 15VRb = 100kΩRc = 2kΩβ = 100, VCES=0.3V 。则VCE为:            V

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A: 5V
B: 0.7V
C: 0.3V
D: -5V
答案:  5V

18、单选题:

下图所示电路中,已知VB = 5.7VVC = 15VRb = 50k



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