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1基本半导体器件
第一单元测试
1、单选题：
在 半导体中，自由电子的浓度大于空穴浓度。
A: 本征
B: P型
C: N型
D: 以上都是
答案: N型
2、单选题：
当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 不确定
答案: 大于
3、单选题：
下图所示电路中，D为硅二极管。当VS = 5V时，测得流过二极管D的电流为1mA。若提高VS至10V，则流过二极管D的电流为： 。
A: 2mA
B: 大于2mA
C: 小于2mA
D: 无法确定
答案: 大于2mA
4、单选题：
下图所示电路中，D为硅二极管，VS = 5V。在温度为20°时，测得二极管D的两端电压为0.7V。若提高温度至40°，则二极管D的两端电压为： 。
A: 0.7V
B: 大于0.7V
C: 小于0.7V
D: 无法确定
答案: 小于0.7V
5、单选题：
下图所示电路中，D1、D2均为理想二极管，则它们的通断状态分别为： 。
A: 导通、导通
B: 导通、截止
C: 截止、导通
D: 截止、截止
答案: 导通、截止
6、单选题：
在正常工作的放大电路中，测得某晶体三极管的各极对地电压分别为：0V、-0.7V、-5V。则，0V所对应的是三极管的： 。
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 无法确定
答案: 发射极
7、单选题：
在正常工作的放大电路中，测得某晶体三极管的三极电流如下图所示。
已知II = -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 =1.23mA。则，此晶体管的类型是： 。
A: NPN
B: PNP
C: NPN和PNP都可以
D: 无法确定
答案: PNP
8、单选题：
温度升高时，晶体管的电流放大系数β 。
A: 升高
B: 降低
C: 不变
D: 无法确定
答案: 升高
9、单选题：
下图所示电路的组态是： 。
A: 共基
B: 共集
C: 共射
D: 以上都不是
答案: 共集
10、单选题：
某场效应管的转移特性如下图所示，此场效应管是： 。
A: N沟道增强型
B: P沟道增强型
C: N沟道耗尽型
D: P沟道耗尽型
答案: P沟道增强型
11、单选题：
某场效应管的输出特性如下图所示，此场效应管是： 。
A: N沟道增强型
B: P沟道增强型
C: N沟道耗尽型
D: P沟道耗尽型
答案: N沟道耗尽型
12、单选题：
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，栅源电压VGS应： 。
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
答案: 大于0
13、单选题：
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
答案: 大于0
14、单选题：
N沟道耗尽型场效应管中，栅源电压VGS越大，其导电能力将： 。
A: 越强
B: 越弱
C: 不变
D: 无法确定
答案: 越强
15、单选题：
N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 无法确定
答案: 无法确定
16、单选题：
下图所示电路中，VI = 8V，RL = 250Ω，稳压二极管正常工作时的VZ = 5V，IZ = 10mA。则，限流电阻R的阻值为： 。
A: 250
B: 200
C: 150
D: 100
答案: 100
17、单选题：
下图所示电路中，已知VB = 5.7V，VC = 15V，Rb = 100kΩ，Rc = 2kΩ，β = 100, VCES=0.3V 。则VCE为： V。
A: 5V
B: 0.7V
C: 0.3V
D: -5V
答案: 5V
18、单选题：
下图所示电路中，已知VB = 5.7V，VC = 15V，Rb = 50kΩ，Rc = 2kΩ，β = 100，VCES=0.3V。则VCE为： 。
A: 5V
B: 0.7V
C: -5V
D: 0.3V
答案: 0.3V
19、多选题：
在正常工作的放大电路中，测得某晶体三极管的某两极对地电压分别为：0V、-5V。则，剩下一极的对地电压有可能是以下的 。
A: -5.7V
B: -4.3V
C: -0.7V
D: 0.7V
答案: -5.7V;
-4.3V;
-0.7V;
0.7V
2基本放大电路分析
第二单元测试
1、单选题：
如下图（a）为三极管构成放大电路原理图，
为输入信号，图（b）为放大电路输出特性图，假定Q点为输出静态工作点，则：当电阻
减小时，图中负载线应该（ ）。
A: 向左下方平移
B: 向右上方平移
C: 斜率变平缓
D: 斜率变陡
答案: 斜率变陡
2、单选题：
如下图（a）为三极管构成放大电路原理图，为输入信号，图（b）为放大电路输出特性图，假定Q点为输出静态工作点，则：当偏置电源
增加时，图中负载线应该（ ）。
A: 向左下方平移
B: 向右上方平移
C: 斜率变平缓
D: 斜率变陡
答案: 向右上方平移
3、单选题：
如下图（a）为三极管构成放大电路原理图，为输入信号，图（b）为放大电路输出特性图，假定Q点为输出静态工作点，则：当偏置电源增加时，图中工作点Q对应的
将（ ）。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法确定
答案: 不变
4、单选题：
下图为场效应管电路和它的输出特性曲线，若Rg=1MΩ，Rd=5 kΩ，则从图中可知场效应管工作在（ ）。
A: 可变电阻区
B: 放大区
C: 截止区
D: 临界饱和
答案: 可变电阻区
5、单选题：
在下图所示的电路中，如空载时（即RL开路）调节Rb，使
，若ICEO，VCES均忽略不计。问接上负载RL后，逐渐加大输入信号
，输出电压
首先出现什么失真？
A: 截止失真
B: 饱和失真
C: 同时出现上述两种失真
D: 交越失真
答案: 截止失真
6、单选题：
如图所示三极管构成基本电路，VCC=15V，Rb=390kΩ，Rc=3.1kΩ，β=100
可判定三极管工作在 （ ）。
A: 放大区
B: 截止区
C: 饱和区
D: 不定
答案: 放大区
7、单选题：
如图所示三极管构成基本电路，VCC=18V，Rb=310kΩ，Rc=4.7kΩ，β=100
可判定三极管工作在 （ ）。
A: 放大区
B: 截止区
C: 饱和区
D: 不定
答案: 饱和区
8、单选题：
单管直接耦合放大电路如图所示，设VCES=0V。已知Av＝－10，且当VI＝1V时，VO＝6V，则当VI＝1.01V时，VO为（ ）。
A: 10.1V
B: 5.9V
C: 6.1V
D: -10.1V
答案: 5.9V
9、单选题：
单管直耦放大电路如图所示，设VCES=0V。已知Av＝－10，且当VI＝1V时，VO＝6V，则当VI＝0 V时，VO为（ ）。
A: 16V
B: 0V
C: 10V
D: 6V
答案: 10V
10、单选题：
为了使高输出电阻的放大电路与低电阻负载很好地配合，通常可以在放大电路与负载之间接入
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