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第二周第2章半导体晶体管及放大电路基础
第1章半导体二极管及其应用自测题
1、单选题：
本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 无关
答案: 等于
2、单选题：
在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 。
A: 材料
B: 温度
C: 压力
D: 掺杂浓度
答案: 掺杂浓度
3、单选题：
在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大。
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 掺杂浓度
D: 压力
答案: 温度
4、单选题：
在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度 。
A: 越高
B: 越低
C: 不变
D: 无法判断
答案: 越低
5、单选题：
N型半导体 。
A: 就是空穴型半导体
B: 带正电
C: 带负电
D: 呈电中性
答案: 呈电中性
6、单选题：
温度升高，N型半导体的电阻率 。
A: 将增大
B: 将减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 将增大
7、单选题：
环境温度升高，二极管的反向饱和电流
A: 将增大
B: 将减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 将增大
8、单选题：
普通二极管的正向电压降温度系数 。
A: 为正
B: 为负
C: 为零
D: 无法判断
答案: 为负
9、单选题：
确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
A: UD ，IF
B: IF ，IS
C: UD，UR
D: IF，UR
答案: IF，UR
10、单选题：
对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压 。
A: 将升高
B: 将降低
C: 不变
D: 无法判断
答案: 将升高
11、单选题：
二极管的反偏电压升高，其结电容 。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 减小
12、单选题：
硅二极管的死区电压约为 。
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D: 0.5V
答案: 0.5V
13、单选题：
二极管的伏安特性表示式为 。
A: 
B: 
C: 
D: 
答案:
14、单选题：
已知二极管的静态工作点UD和ID，则其静态电阻为 。
A: UD/ID
B: UT/ID
C: UD/IS
D: UT/IS
答案: UD/ID
15、单选题：
已知二极管的静态工作点UD和ID，则其动态电阻为 。
A: 
B: 
C: 
D: 
答案:
16、单选题：
某硅二极管在正向电压
时，正向电流
。若
增大到0.66V，则电流
约为 。
A: 11mA
B: 20mA
C: 500mA
D: 100mA
答案: 100mA
第三周第2章半导体晶体管及放大电路基础
第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题1
1、单选题：
晶体管能够放大的外部条件是 。
A: 发射结正偏，集电结正偏
B: 发射结反偏，集电结反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 发射结正偏，集电结反偏
2、单选题：
当晶体管工作于饱和状态时，其 。
A: 发射结正偏，集电结正偏
B: 发射结反偏，集电结反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 发射结正偏，集电结正偏
3、单选题：
硅晶体管的死区电压约为 。
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D: 0.5V
答案: 0.5V
4、单选题：
锗晶体管的导通压降|UBE|约为 。
A: 0.1V
B: 0.3V
C: 0.5V
D: 0.7V
答案: 0.3V
5、单选题：
测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为 。
A: 40
B: 50
C: 60
D: 100
答案: 60
6、单选题：
温度升高，晶体管的电流放大系数b 。
A: 无法判断
B: 不变
C: 减小
D: 增大
答案: 增大
7、单选题：
温度升高，晶体管的管压降|UBE| 。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 减小
8、单选题：
温度升高，晶体管输入特性曲线 。
A: 右移
B: 左移
C: 不变
D: 无法判断
答案: 左移
9、单选题：
温度升高，晶体管输出特性曲线的间隔 。
A: 不变
B: 减小
C: 增大
D: 无法判断
答案: 增大
10、单选题：
当晶体管的集电极电流
时，下列说法正确的是 。
A: 晶体管一定被烧毁
B: 晶体管的
C: 晶体管的b一定减小
D: 晶体管一定处于饱和状态
答案: 晶体管的b一定减小
11、单选题：
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为 。
A: NPN型锗管
B: NPN型硅管
C: PNP型硅管
D: PNP型锗管
答案: PNP型锗管
12、单选题：
测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管 。
A: 处于饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 已损坏
答案: 已损坏
13、单选题：
对于电压放大器来说， 越大，电路的放大能力越强。
A: 输入电阻
B: 输出电阻
C: 电压放大倍数
D: 信号源内阻
答案: 输入电阻
14、单选题：
对于电压放大器来说， 越小，电路带负载的能力越强。
A: 输入电阻
B: 输出电阻
C: 电压放大倍数
D: 输入电压
答案: 输出电阻
15、单选题：
在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中，若输入电压为正弦波，输出波形的底部被削平，则这种失真是 失真。
A: 幅度
B: 相位
C: 截止
D: 饱和
答案: 饱和
16、单选题：
一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压
的幅度时，输出电压
的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应 。
A: 减小
B: 增大
C: 减小
D: 减小
答案: 减小
17、单选题：
17. NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为 。
A: （a）
B: （b）
C: （c）
D: （d）
答案: （d）
18、单选题：
引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。
A: （a）晶体管的电流放大系数太大
B: (b) 电源电压太高
C: (c) 电压放大倍数太高
D: （d）晶体管参数随环境温度的变化而变化
答案: （d）晶体管参数随环境温度的变化而变化
19、单选题：
在放大电路中，直流负反馈可以________。
A: (a) 提高晶体管电流放大倍数的稳定性
B: (b) 提高放大电路的放大倍数
C: (c) 提高放大电路的输入电阻
D: （d）稳定电路的静态工作点
答案: （d）稳定电路的静态工作点
20、单选题：
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载后输出电压降为3 V，则此电路的输出电阻为 。
A: (a) 0.5kW
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