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第1章电力电子器件
概述+器件单元测试限1-2班
1、单选题：
将直流电转换为交流电的技术是 技术
A: 交流-交流变换
B: 斩波
C: 逆变
D: 整流
答案: 逆变
2、单选题：
GTO按照载流子参与导电情况和驱动电路属于 器件
A: 复合型电平控制
B: 少子脉冲触发
C: 多子电平控制
D: 多子脉冲触发
答案: 多子脉冲触发
3、单选题：
影响IGBT的擎住效应的原因是其内部的 可能误导通，导致栅极无法控制开关
A: 寄生的PN结
B: 寄生的栅射极电容
C: 寄生的N-PN+晶体管
D: 寄生的P+N-P晶体管
答案: 寄生的N-PN+晶体管
4、单选题：
电力电子器件常用的电力场效应管一般是
A: N沟道增强型
B: N沟道耗尽型
C: P沟道增强型
D: P沟道耗尽型
答案: N沟道增强型
5、单选题：
下列器件不属于复合型是
A: IGBT
B: 双向晶闸管
C: IGCT
D: MCT
答案: 双向晶闸管
6、多选题：
下列哪些应用属于电力电子技术的应用
A: 风能发电的PWM控制
B: 交通灯的时序控制
C: 特斯拉电动汽车的电动机驱动
D: iPhone手机充电器
答案: 风能发电的PWM控制;
特斯拉电动汽车的电动机驱动;
iPhone手机充电器
7、多选题：
下面哪种材料属于宽禁带半导体材料
A: 碳化硅
B: 氮化镓
C: 金刚石
D: 硒
答案: 碳化硅;
氮化镓;
金刚石
8、多选题：
GTR的安全工作区是由 围成的区域
A: 最高工作电压
B: 集电极最大允许电流
C: 集电极最大耗散功率
D: 二次击穿功率
答案: 最高工作电压;
集电极最大允许电流;
集电极最大耗散功率;
二次击穿功率
9、判断题：
IGBT相对于Power MOSFET的改进是增加了一层P+的注入区，从而使其有了很强的通流能力
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
10、判断题：
IGBT的关断时间是所有器件中最快的
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
11、填空题：
晶闸管的额定电流取的是通态平均电流，是按照通态损耗的 效应来定义的
答案: 发热
12、填空题：
IGBT的公共端是 极
答案: 发射
概述+电力电子器件单元测试
1、单选题：
1.电力电子技术就是利用______用于电能变换和控制的技术。
A: 电子器件
B: 信息电子器件
C: 电力电子器件
D: 半导体器件
答案: 电力电子器件
2、单选题：
4. 电力电子器件总是工作在______状态。
A: 线性放大
B: 饱和
C: 截止
D: 开关
答案: 开关
3、单选题：
6. 下列电力电子器件哪种是不可控型的。
A: 晶闸管
B: 电力MOSFET
C: IGBT
D: 二极管
答案: 二极管
4、单选题：
7. 下列电力电子器件哪种是半控型的。
A: 二极管
B: 电力三极管
C: IGBT
D: 晶闸管
答案: 晶闸管
5、单选题：
9. 下列哪种电力器件只具有反向阻断电压能力。
A: 晶闸管
B: 电力二极管
C: IGBT
D: GTO
答案: 电力二极管
6、单选题：
下列哪些器件只具有单向导电能力？
A: 二极管
B: 逆导型晶闸管
C: 逆导型IGBT
D: 双向晶闸管
答案: 二极管
7、单选题：
晶闸管的电流定额按_____原则确定。
A: 平均值相等
B: 有效值相等
C: 最大值
D: 绝对值
答案: 有效值相等
8、多选题：
2. 电能变换的种类有：
A: AC—DC
B: DC—–DC
C: DC——AC
D: AC—–AC
答案: AC—DC;
DC—–DC;
DC——AC;
AC—–AC
9、多选题：
3. 电力电子器件按是否可控，可分为：
A: 不可控型
B: 半控型
C: 全控型
D: 多子导电型
答案: 不可控型;
半控型;
全控型
10、多选题：
5. 电力电子系统（或电路）包括______、______、______、_______,。
A: 主电路
B: 控制电路
C: 驱动电路
D: 检测和保护电路
答案: 主电路;
控制电路;
驱动电路;
检测和保护电路
11、多选题：
8. 下列电力电子器件哪些是全控型的。
A: 晶闸管
B: IGBT
C: GTO
D: 电力MOSFET
E: GTR
答案: IGBT;
GTO;
电力MOSFET;
GTR
12、多选题：
下列哪些电力电子器件具有正、反向阻断电压能力？
A: 晶闸管
B: GTO
C: GTR
D: 电力MOSFET和IGBT
答案: 晶闸管;
GTO;
GTR;
电力MOSFET和IGBT
13、多选题：
下列哪些器件具有双向导电性？
A: 逆导型晶闸管
B: IGBT
C: 逆导型IGBT
D: 晶闸管
E: GTO
F: GTR
G: 电力MOSFET
答案: 逆导型晶闸管;
逆导型IGBT
14、判断题：
为保障晶闸管可靠导通，其驱动信号可采用宽脉冲或双脉冲。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
15、判断题：
电力MOSFET和IGBT采用电平驱动方式。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
16、判断题：
GTO和GTR是电流驱动型器件。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
第2章电力电子器件的使用问题
第2次测试第2章
1、单选题：
关于驱动电路的电气隔离，表述正确的是下面哪个？
A: 电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用光隔离。
B: 电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用绝缘材料隔离。
C: 电力电子器件驱动的电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。
D: 电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用磁隔离。
答案: 电力电子器件驱动的电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。
2、单选题：
关于晶闸管触发电路的输出脉冲，表述正确的是下面哪个？
A: 脉冲宽度应使晶闸管可靠导通，触发脉冲应有足够的宽度与幅度。
B: 触发脉冲瞬时功率不得大于平均功率定额。
C: 触发脉冲宽度无要求，触发脉冲应有足够的幅度。
D: 触发脉冲应有足够的幅度，触发脉冲宽度无要求。
答案: 脉冲宽度应使晶闸管可靠导通，触发脉冲应有足够的宽度与幅度。
3、单选题：
关于相控电路的驱动电路，表述正确的是：
A: 相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同，两者相位关系则随外加控制信号的变化而变化。
B: 相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
C: 相控驱动电路都不需要同步环节，外加控制电压大小可以确定控制相位。
D: 相控驱动电路都不需要同步环节，外加控制电压大小基本可以确定控制相位。
答案: 相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
4、单选题：
关于电力电子器件驱动，表述正确的是下面哪个？
A: IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定。
B: GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
C: MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定。
D: MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定。
答案: GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
5、单选题：
GTR驱动电路中的贝克嵌位二极管是为了：
A: 使GTR截止。
B: 防止GTR导通时的过饱和。
C: 防止GTR导通。
D: 防止GTR导通时处于欠饱和状态。
答案: 防止GTR导通时的过饱和。
6、单选题：
如下所述，关于电力电子装置过电压，表述正确的是：
A: 需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。
B: 雷击过电压是由电力电子装置外部产生的，不需要采取措施进行保护。
C: 电力电子装置过电压分为外因过电压、操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压5类。
D: 电力电子装置过电压分为操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压4类。
答案: 需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。
7、单选题：
关于电力电子装置过电流保护，表述正确的是下面哪一个？
A: 如果电力电子装置中已经安装了快速熔断器，则不需要其它过电流保护措施。
B: 对重要的、且易发生短路的晶闸管设备或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护，响应最快。
C: 快速熔断器仅用于部分区段的过载保护。
D: 快速熔断器仅用于短路保护。
答案: 对重要的、且易发生短路的晶闸管设备或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护，响应最快。
8、单选题：
关于电力电子器件缓冲电路，表述正确的是下面哪一个？
A: 缓冲电路又称吸收电路，目的是吸收电力电子器件的热量。
B: 缓冲电路又称吸收电路，目的是使器件的开关速度变为缓慢。
C: 缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
D: 缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件内因过电压、过电流，但并没有减小器件的开关损耗。
答案: 缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
9、单选题：
关于关断缓冲电路，表述正确的是：
A: di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。
B: du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。
C: 关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。
D: du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小器件的开通损耗。
答案: du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。
10、单选题：
关于晶闸管的串联，表述正确的是：
A: 晶闸管串联使用时，仅需要采取静态均压措施即可。
B: 晶闸管串联均压措施就是选择动态参数和特性尽量一致的器件即可。
C: 晶闸管串联使用时，需要采取静态均压措施和动态均压措施。
D: 晶闸管串联使用时，仅需要采取动态均压措施即可。
答案: 晶闸管串联使用时，需要采取静态均压措施和动态均压措施。
11、单选题：
MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？
A: 型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。
B: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
C: 型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。
D: 型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
答案: 型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
12、单选题：
下面表述正确的是哪一个？
A: 驱动电路对装置的影响有：缩短开关时间、减少损耗，提高装置的运行效率、安全性、可靠性。
B: 器件过电压成因有外因与内因，外因为换相、关断过电压；内因为操作、雷击过电压。
C: 过压保护一般用避雷器即可。
D: 过流保护一般用压敏电阻即可。
答案: 驱动电路对装置的影响有：缩短开关时间、减少损耗，提高装置的运行效率、安全性、可
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