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第二章常用半导体器件原理
常用半导体器件原理
1、单选题：
N型半导体是在纯净半导体中掺入____；
A: 带正电的离子
B: 三价元素，如硼等
C: 五价元素，如磷等
D: 带负电的电子
答案: 五价元素，如磷等
2、单选题：
用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
A: 放大
B: 饱和
C: 截止
D: 损坏
答案: 截止
3、单选题：
用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
A: 放大
B: 截止
C: 饱和
D: 损坏
答案: 截止
4、单选题：
图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A: N沟道结型
B: N沟增强型MOS
C: N沟耗尽型MOS
D: P沟耗尽型MOS
答案: N沟增强型MOS
5、单选题：
图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A: N沟道结型
B: P沟道结型
C: N沟道绝缘栅型增强型MOS
D: P沟道绝缘栅型耗尽型MOS
答案: N沟道结型
6、单选题：
图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A: P沟道结型
B: N沟道结型
C: P沟道耗尽型MOS
D: P沟道增强型MOS
答案: P沟道耗尽型MOS
7、单选题：
晶体管工作在放大区时，发射结为____
A: 正向偏置
B: 反向偏置
C: 零偏置
D: 无
答案: 正向偏置
8、单选题：
晶体管工作在饱和区时，集电结为____
A: 零偏置
B: 正向偏置
C: 反向偏置
D: 无
答案: 正向偏置
9、单选题：
用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状
态。
A: 放大
B: 截止
C: 饱和
D: 损坏
答案: 放大
10、单选题：
用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
A: 饱和
B: 放大
C: 截止
D: 损坏
答案: 放大
11、单选题：
用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
A: 饱和
B: 截止
C: 损坏）
D: 放大
答案: 放大
12、单选题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____
A: 温度
B: 杂质浓度
C: 掺杂工艺
D: 无
答案: 杂质浓度
13、单选题：
电路如图所示，ui=0.1sinwt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管rd的动态电阻将____。
A: 保持不变
B: 增大
C: 减小
D: 无
答案: 减小
14、单选题：
随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线将___
A: 上移
B: 下移
C: 左移
D: 右移
答案: 上移
15、单选题：
在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是
A: 发射极
B: 基极
C: 集电极
D: 无
答案: 发射极
16、单选题：
设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态
A: 饱和
B: 截止
C: 放大
D: 倒置
答案: 截止
17、单选题：
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 杂质浓度
D: 无
答案: 温度
18、单选题：
电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝0V， 波形如图____所示。
A: 
B: 
C: 
D: 
答案:
19、单选题：
场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____
A: 大
B: 小
C: 相等
D: 无
答案: 小
20、单选题：
在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。电极①是____
A: 发射极
B: 基极
C: 集电极
D: 漏极
答案: 集电极
21、单选题：
设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态
A: 截止
B: 饱和
C: 放大
D: 倒置
答案: 放大
22、单选题：
在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；
A: 不变
B: 减小
C: 增大
D: 无
答案: 增大
23、单选题：
在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。
A: 减小
B: 增大
C: 不变）
D: 无
答案: 减小
24、单选题：
电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。U
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