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第二章常用半导体器件原理、特性及参数
MOS场效应管的工作原理和特性参数
1、单选题：
有关场效应管，以下说法错误的是（ ）
A: 场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电
B: 在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制
C: 在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系
D: 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
答案: 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
P–N结
1、判断题：
P–N结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势, 形成了较大的正向电流。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
P–N结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
半导体物理基础
1、判断题：
N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
2、判断题：
载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
双极型三极管和场效应管的低频小信号模型
1、判断题：
降低工作点电流和提高β值可以增大管子的输入电阻rbe 。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
双极型晶体管工作原理
1、判断题：
晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例
1、判断题：
测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅NPN管,
且工作在放大区, 其中U1对应的是发射极e, U2对应的是集电极c,
U3对应的是基极b。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
双极型晶体管特性曲线
1、判断题：
晶体三极管放大区的条件是e结正偏、c结反偏,特点是iB对iC的控制能力强, 随着iB增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示β值大小。uCE变化对iC影响不大，具有基本的恒流特性。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
晶体三极管饱和区的条件是e结正偏、c结正偏,特点是iB对iC的控制能力很弱, β值很小, 甚至趋向于零。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
各类场效应管对比双极型三极管与场效应管对比
1、单选题：
A: N沟道JFET
B: P沟道JFET
C: N沟道增强型MOSFET
D: P沟道耗尽型MOSFET
答案: N沟道增强型MOSFET
常用半导体器件原理、特性及参数
1、单选题：
N 型半导体是在本征半导体内掺入
A: 三价元素, 如硼等
B: 四价元素, 如锗等
C: 五价元素, 如磷等
D: 二价元素
答案: 五价元素, 如磷等
2、单选题：
双极型晶体三极管工作在放大区的条件是
A: e结正偏, c结正偏
B: e结反偏, c结正偏
C: e结正偏, c结反偏
D: e结反偏, c结反偏
答案: e结正偏, c结反偏
3、单选题：
测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以
及各管脚为
A: 锗管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
B: 锗管, U3对应为基极b, U2对应为发射极e, U1对应为集电极c
C: 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
D: 硅管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
答案: 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
4、单选题：
测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及β值为
A:
NPN管
B: PNP管
C: PNP管
D: NPN管
答案:
NPN管
5、单选题：
某管特性曲线如下图所示, 则该为
A: P沟道增强型MOS场效应管
B: N沟道结型场效应管
C: N沟道耗尽型MOS场效应管
D: N沟道增强型MOS场效应管
答案: N沟道增强型MOS场效应管
6、判断题：
N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
7、判断题：
漂移电流与电场强度成正比
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
8、判断题：
扩散电流与载流子浓度梯度成正比
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
9、判断题：
二极管电路如下图，当E=4V, 电流表指示I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
10、判断题：
本征半导体温度升高后自由电子和空穴浓度增大, 但二者仍然相等
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
11、判断题：
施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
12、判断题：
二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2–0.3V
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
13、判断题：
二极管所加正向电压增大时, 其动态电阻增大
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
14、判断题：
只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
15、判断题：
二极管最重要的特性是单向导电性,在整流、限幅、电平选择、开关等应用中,一定要保证不能反向击穿
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
16、判断题：
PN结加正向偏压时, 其耗尽层变厚, 加反向偏压时, 其耗尽层变薄
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
17、判断题：
温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
18、判断题：
稳压管电路如下图, 若Ui=20V, RL=250Ω, 稳压管击穿电压UZ=10V, 限流电阻R=100Ω, 则稳压管流过的工作电流为60mA
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
19、判断题：
理想二极管的正向导通电阻为零, 反向截止阻抗为无穷大
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
20、判断题：
双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
21、判断题：
场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
22、判断题：
双极型晶体三极管的集电极与发射极可以互换使用
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
23、判断题：
结型场效应管的漏极与源极可互换使用
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
24、判断题：
场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
25、判断题：
无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随着基极电流增大而增大
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
26、判断题：
场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
27、判断题：
在相同工艺和外加电压情况下, MOS场效应管的尺寸越大(即宽长比W/L越大),漏极电流将越大, 跨导gm也越大
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
28、判断题：
MOS场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
晶体二极管特性及参数
1、判断题：
理想二极管等效于一个理想开关, 正偏导通时相当于短路，反偏截止时相当于开路。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
稳压二极管及其他二极管
1、判断题：
稳压二极管的工作区在反向击穿区, 而不是在正向导通区。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
某稳压二极管的允许功耗为300mW, 稳定电压为6V, 则稳压管最大允许的反向电流为50mA。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
结型场效应管的工作原理和特性参数
1、判断题：
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
第三章双极型晶体管和场效应管放大器基础
共基放大器性能分析及三种组态性能对比
1、判断题：
三种组态放大器中, 唯有共射放大器的输出信号与输入信号相位相反, 共集和共基放大器的输出与输入信号是同相的
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
三种组态放大器中,共集的输出电阻最小, 带负载能力最强
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
共射、共集、共基放大器分析与对比
1、单选题：
有关晶体管基本放大器，以下说法错误的是（ ）
A: 电压放大倍数和输入电阻可能和负载电阻有关
B: 输出电阻可能和信号源内阻有关，和负载电阻无关
C: 输入电压从基极引入时，集电极的输出电压反相，发射极的输出电压同相
D: 共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率
答案: 共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率
2、单选题：
带负反馈的共发射极放大器如图所示，晶体管的rbe = 2 kW，b = 100。电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻是（ ）
A: Au = – 0.49，Ri = 20.3 kW，Ro = 10 kW
B: Au = – 250，Ri = 20.8 kW，Ro = 10 kW
C: Au = – 0.49，Ri = 2 kW，Ro = 5 kW
D: Au = -250，Ri = 20.8 kW，Ro = 5 kW
答案: Au = – 0.49，Ri = 20.3 kW，Ro = 10 kW
共射放大器性能分析
1、判断题：
共射放大器放大倍数与集电极交流负载电阻(RC//RL)成正比
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
共射放大器放大倍数与β值成正比
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
3、判断题：
共射放大器放大倍数大小与工作点电流ICQ无关
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
共漏放大器和共栅放大器分析
1、判断题：
因为场效应管本身输入电阻为无穷大, 所以场效应管放大器的输入电阻完全取决于偏置电路的电阻
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
漏放大器的输出电阻
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
共集放大器性能分析
1、判断题：
共集放大器输出电压太小与输入信号差不多, 而且相位相同, 所以共集放大器又称射极跟随器
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
在共集放大器中, 将发射极电阻拆合到基极去要乘以(1+β), 反之, 将基极电阻拆合到发射极去要除以(1+β)。原因是发射极电流是基极的(1+β)倍
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
典型放大电路结构特点,三种阻态放大器电路
1、判断题：
放大器待放大信号必须要加到基极和发射极回路, 因为发射结电压对集电极电流有很强的控制能力
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
2、判断题：
三种组态电路结构的不同点在于信号的输入、输出回路的不同
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
双极型晶体管和场效应管放大器
1、单选题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益近似等于
A: 
B: 
C: 
D: 
答案:
2、单选题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
A: 
B: 
C: 
D: 
答案:
3、单选题：
放大电路如下图如示, 则该放大器输入电阻为
A: 
B: 
C: 
D: 
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