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第一周第0章绪言、第1章半导体二极管及其应用
就一题试试
1、填空题：
答案: 14
第二周第2章半导体晶体管及放大电路基础
第1章半导体二极管及其应用自测题
1、单选题：
本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 无关
答案: 等于
2、单选题：
在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 。
A: 材料
B: 温度
C: 压力
D: 掺杂浓度
答案: 掺杂浓度
3、单选题：
在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大。
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 掺杂浓度
D: 压力
答案: 温度
4、单选题：
N型半导体 。
A: 就是空穴型半导体
B: 带正电
C: 带负电
D: 呈电中性
答案: 呈电中性
5、单选题：
环境温度升高，二极管的反向饱和电流
A: 将增大
B: 将减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 将增大
6、单选题：
普通二极管的正向电压降温度系数 。
A: 为正
B: 为负
C: 为零
D: 无法判断
答案: 为负
7、单选题：
确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
A: 正向管压降UD ，正向平均电流IF
B: 正向平均电流IF ，反向饱和电流IS
C: 正向管压降UD，反向耐受电压UR
D: 正向平均电流IF，反向耐受电压UR
答案: 正向平均电流IF，反向耐受电压UR
8、单选题：
硅二极管的死区电压约为 。
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D: 0.5V
答案: 0.5V
9、单选题：
二极管的伏安特性表示式为 。
A: 
B: 
C: 
D: 
答案:
10、单选题：
已知二极管的静态工作点UD和ID，则其静态电阻为 。
A: UD/ID
B: UT/ID
C: UD/IS
D: UT/IS
答案: UD/ID
11、填空题：
答案: 1.3
12、填空题：
答案: 0
13、填空题：
答案: -1.3
14、填空题：
答案: 2
15、填空题：
答案: 1.3
16、填空题：
答案: -2
17、填空题：
答案: 14
18、填空题：
答案: 6
19、填空题：
答案: 6.7
20、填空题：
答案: 0.7
第三周第2章半导体晶体管及放大电路基础
第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题1
1、单选题：
晶体管能够放大的外部条件是 。
A: 发射结正偏，集电结正偏
B: 发射结反偏，集电结反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 发射结正偏，集电结反偏
2、单选题：
当晶体管工作于饱和状态时，其 。
A: 发射结正偏，集电结正偏
B: 发射结反偏，集电结反偏
C: 发射结正偏，集电结反偏
D: 发射结反偏，集电结正偏
答案: 发射结正偏，集电结正偏
3、单选题：
硅晶体管的死区电压约为 。
A: 0.1V
B: 0.2V
C: 0.3V
D: 0.5V
答案: 0.5V
4、单选题：
锗晶体管的导通压降|UBE|约为 。
A: 0.1V
B: 0.3V
C: 0.5V
D: 0.7V
答案: 0.3V
5、单选题：
测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为 。
A: 40
B: 50
C: 60
D: 100
答案: 60
6、单选题：
温度升高，晶体管的电流放大系数b 。
A: 无法判断
B: 不变
C: 减小
D: 增大
答案: 增大
7、单选题：
温度升高，晶体管的管压降|UBE| 。
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 减小
8、单选题：
温度升高，晶体管输入特性曲线 。
A: 右移
B: 左移
C: 不变
D: 无法判断
答案: 左移
9、单选题：
温度升高，晶体管输出特性曲线的间隔 。
A: 不变
B: 减小
C: 增大
D: 无法判断
答案: 增大
10、单选题：
当晶体管的集电极电流
时，下列说法正确的是 。
A: 晶体管一定被烧毁
B: 晶体管的
C: 晶体管的b一定减小
D: 晶体管一定处于饱和状态
答案: 晶体管的b一定减小
11、单选题：
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为 。
A: NPN型锗管
B: NPN型硅管
C: PNP型硅管
D: PNP型锗管
答案: PNP型锗管
12、单选题：
测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管 。
A: 处于饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 已损坏
答案: 已损坏
13、单选题：
对于电压放大器来说， 越大，电路的放大能力越强。
A: 输入电阻
B: 输出电阻
C: 电压放大倍数
D: 信号源内阻
答案: 输入电阻
14、单选题：
对于电压放大器来说， 越小，电路带负载的能力越强。
A: 输入电阻
B: 输出电阻
C: 电压放大倍数
D: 输入电压
答案: 输出电阻
15、单选题：
在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中，若输入电压为正弦波，输出波形的底部被削平，则这种失真是 失真。
A: 幅度
B: 相位
C: 截止
D: 饱和
答案: 饱和
16、单选题：
一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压
的幅度时，输出电压
的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应 。
A: 减小
B: 增大
C: 减小
D: 减小
答案: 减小
17、单选题：
17. NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为 。
A: （a）
B: （b）
C: （c）
D: （d）
答案: （d）
18、单选题：
引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。
A: （a）晶体管的电流放大系数太大
B: (b) 电源电压太高
C: (c) 电压放大倍数太高
D: （d）晶体管参数随环境温度的变化而变化
答案: （d）晶体管参数随环境温度的变化而变化
19、单选题：
在放大电路中，直流负反馈可以________。
A: (a) 提高晶体管电流放大倍数的稳定性
B: (b) 提高放大电路的放大倍数
C: (c) 提高放大电路的输入电阻
D: （d）稳定电路的静态工作点
答案: （d）稳定电路的静态工作点
20、单选题：
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载后输出电压降为3 V，则此电路的输出电阻为 。
A: (a) 0.5kW
B: （b）1kW
C: (c) 2kW
D: (d) 2.5kW
答案: （b）1kW
21、单选题：
已知图示放大电路中的
W，
W，
,晶体管的
，
。那么，该晶体管处于何种状态？ 。
A: (a) 放大状态
B: （b）饱和状态
C: (c) 截止状态
D: (d) 无法判断
答案: （b）饱和状态
22、单选题：
在上题中，若晶体管的
。该晶体管处于何种状态？_______。
A: （a）放大状态
B: (b) 饱和状态
C: (c) 截止状态
D: (d) 无法判断
答案: （a）放大状态
23、单选题：
在21题中，若晶体管的， 当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现何种失真？_______。
A: (a) 饱和
B: (b) 截止
C: (c) 饱和与截止
D: (d) 无法判断
答案: (a) 饱和
24、单选题：
若三级放大电路的
，
，则电路的放大倍数为 。
A: (a) 80
B: (b) 800
C: (c) 1000
D: (d) 10000
答案: (d) 10000
25、单选题：
有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，
W，
W。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为______。
A: （a）40dB
B: （b）32dB
C: （c）16dB
D: （d）10dB
答案: （b）32dB
第2章放大电路静态及动态分析测试
1、填空题：
答案: 12
2、填空题：
答案: 0.5
3、填空题：
答案: 12
4、填空题：
答案: 12
5、填空题：
答案: [28,29]
6、填空题：
答案: [28,29]
7、填空题：
答案: [1.4,1.5]
8、填空题：
答案: [1.4,1.5]
9、填空题：
答案: [8,9]
10、填空题：
答案: [8,9]
11、填空题：
答案: [-237,-240]
12、填空题：
答案: [-75,-80]
13、填空题：
答案: [1040,1050]
14、填空题：
答案: 5
15、填空题：
答案: [1.04,1.05]
16、填空题：
答案: 5
17、填空题：
答案: [560,570]
18、填空题：
答案:
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