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起止时间:2021-03-01到2021-06-07
更新状态:每5天更新一次
第一周 第一章 常用半导体器件 第一章单元测试
1、 电路如图所示，设DZ1的稳定电压为6V，DZ2的稳定电压为12V，设稳压管的正向压降为0.7V，则输出电压Uo等于（ ）。
A:18V
B:6V
C:6.7V
D:12.7V
答案: 6.7V
2、 在下图所示的电路中，晶体管工作于（ ）状态。
A:放大
B:饱和
C:截止
D:无法判断
答案: 放大
3、 在下图所示的电路中，晶体管工作于（ ）状态 。
A:放大
B:饱和
C:截止
D:无法判断
答案: 饱和
4、 某晶体管工作在放大状态，测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.3V，则该管为 （ ）。
A:NPN型硅管
B:NPN型锗管
C:PNP型硅管
D:PNP型锗管
答案: PNP型锗管
5、 若用万用表测二极管正、反向电阻的方法判断二极管的好坏，则好的二极管应为（ ）。
A:正、反向电阻相等。
B:正向电阻很大，反向电阻很小。
C:正向电阻很小，反向电阻很大。
D:正、反向电阻都很大。
答案: 正向电阻很小，反向电阻很大。
6、 电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R =4k，电位uA=1V，uB =3V，则电位uF 等于（ ）。
A:0V
B:1V
C:3V
D:12V
答案: 1V
7、 在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
A:正确
B:错误
答案: 正确
8、 在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。
A:正确
B:错误
答案: 正确
9、 二极管的反向峰值电流会随温度升高而明显增大。
A:正确
B:错误
答案: 正确
10、 晶体管的内部结构特点是：发射区杂质浓度最低，基区杂质浓度最高。
A:正确
B:错误
答案: 错误
第二周 第二章 基本放大电路（1） 第二章 单元测试（1）
1、 对放大电路来说，总是希望（ C ）。
A:输入电阻小，输出电阻小。
B:输入电阻小，输出电阻大。
C:输入电阻大，输出电阻小。
D:输入电阻大，输出电阻大。
答案: 输入电阻大，输出电阻小。
2、 固定偏置放大电路在工作时，发现波形输出失真，用直流电压表测量，测得UCE≈UCC，应将RB（ ），才能不失真。
A:增大
B:断开
C:减小
D:短路
答案: 减小
3、 已知图示放大电路中的RB=100kΩ，RC=1.5kΩ，RL=2kΩ，VCC=12V，晶体管的β=50，UBE=0.6V。那么，该晶体管工作于何种状态？ ( )。
A:截止状态
B:饱和状态
C:放大状态
D:无法判断
答案: 放大状态
4、 已知图示放大电路中的RB=100kΩ，RC=1.5kΩ，RL=2kΩ，VCC=12V，晶体管的β=50，UBE=0.6V。当输入信号增大时，先出现（ ）失真。
A:饱和失真
B:截止失真
C:不失真
D:两种失真同时出现
答案: 饱和失真
5、 已知图示放大电路中的
，
，
，
，晶体管的β=50，忽略
。则放大电路的静态值
和
为（ ）。
A:0.12mA和6V
B:0.06mA和6V
C:0.06mA和4V
D:0.12mA和4V
答案: 0.06mA和6V
6、 已知图示放大电路中的
，
，
，
，
晶体管的β=50，忽略
。则放大电路的电压放大倍数为（ ）。
A:100
B:-100
C:50
D:-50
答案: -50
7、 微变等效电路既可以用来分析放大电路的交流分量，也可以用来计算静态工作点。
A:正确
B:错误
答案: 错误
8、 晶体管用微变等效电路来代替的条件是晶体管工作在小信号状态下。
A:正确
B:错误
答案: 正确
9、 在放大电路中，耦合电容起隔直流通交流的作用。
A:正确
B:错误
答案: 正确
第三周 第二章 基本放大电路（2） 第二章 单元测试（2）
1、 以下哪一个不是射极输出器的电路特点（ ）。
A:输入电阻大。
B:输出电阻小。
C:电压放大倍数近似为1 。
D:输出电压与输入电压的相位相反。
答案: 输出电压与输入电压的相位相反。
2、 两级阻容耦合放大电路均由共射极放大电路组成，若将第二级换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将（ ）。
A:增大
B:减小
C:不变
D:为零
答案: 增大
3、 互补对称功率放大电路中晶体管工作在甲乙类工作状态，主要是为了克服（ ）。
A:截止失真
B:饱和失真
C:交越失真
D:线性失真
答案: 交越失真
4、 共发射极分压偏置电路如下图所示，已知
，
。该电路的电压放大倍数约为（ ）。
A:-120
B:-110
C:-100
D:-90
答案: -120
5、 共发射极分压偏置电路如下图所示，已知β= 60，忽略
。该电路的静态值
和
分别为：（ ）。
A:2mA，6V
B:1mA，10V
C:2mA，10V
D:1mA，6V
答案: 2mA，6V
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