模拟电子技术(常州工学院)中国大学MOOC答案100分最新完整版

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起止时间:2021-03-08到2021-07-10
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常用半导体器件 第一单元测验

1、 在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体。( )

A:五价,三价
B:四价,五价
C:三价,五价
D:四价,三价
答案: 五价,三价

2、 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。

A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:晶体缺陷
答案: 杂质浓度

3、 当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。

A:增大
B:减小
C:不变
D:不能确定
答案: 增大

4、 半导体中有( )种载流子。

A:4
B:2
C:1
D:不确定
答案: 2

5、 Si二极管的正向导通压降约为( )。

A:0.5V
B:0.2V
C:0.3V
D:0.7V
答案: 0.7V

常用半导体器件(续)

1、 N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。

A:UGS=0
B:UGS>UGS(th)
C:UGS>0
D:UGS<0
答案: UGS>UGS(th)

2、 放大状态下的晶体管三个管脚1、2、3对地电位分别为0V,-0.2V,-3V,则1、2、3脚对应的三个极是( )。

A:e、b、c
B:e、c、b
C:c、b、e
D:b、e、c
答案: e、b、c

3、 测得一放大电路中某晶体管三个极的直流电位为12V、11.3V和0V,该晶体管的类型为( )。

A:NPN型Si管;
B:PNP型Si管;
C:NPN型Ge管;
D:PNP型Ge管;
答案: PNP型Si管;

4、 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。

A:前者反偏,后者也反偏;
B:前者正偏,后者反偏;
C:前者正偏,后者也正偏;
D:不能确定;
答案: 前者正偏,后者反偏;

5、 晶体管各极电压为VB=1.8V,VE=0V,VC=12V,则该管工作在( )状态。

A:截止
B:饱和
C:放大
D:已损坏
答案: 已损坏

6、 结型场效应管和MOS场效应管的工作区有( )。

A:放大区
B:夹断区
C:可变电阻区
D:恒流区
答案: 夹断区;
可变电阻区;
恒流区

7、 MOS场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。 

A:正确
B:错误
答案: 正确

8、 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。

A:正确
B:错误
答案: 正确

9、 三极管的特征频率fT 点对应的β为 。
答案: 1

10、 若用结型场效应管构造放大电路,应使其工作在 区。
答案: 恒流

基本放大电路-1

1、 放大的基本要求是( )。

A:不失真
B:能量的控制
C:功率放大
D:与电路有关
答案: 不失真

2、 在放大电路中放大的特征是( )。

A:功率放大
B:能量的控制
C:不失真
D:变化量
答案: 功率放大

3、 放大电路的性能指标有( )。

A:放大倍数
B:输入电阻和输出电阻
C:通频带
D:最大不失真输出电压
答案: 放大倍数;
输入电阻和输出电阻;
通频带;
最大不失真输出电压

4、 由NPN管组成的共射放大电路中,若Q点对应的UCEQ值偏大,容易出现( )失真。

A:截止
B:顶部
C:底部
D:饱和
答案: 截止;
顶部

5、 可以说任何放大电路都有功率放大作用。

A:正确
B:错误
答案: 正确

6、 放大电路中输入信号和输出信号肯定是同相位的。

A:正确
B:错误
答案: 错误

7、 通频带或中频段是指下限截止频率和 之间的频率范围。
答案: 上限截止频率

8、 根据信号源与放大电路、放大电路与负载之间的连接方式可把放大电路分成 放大电路 和 阻容耦合放大电路。
答案: 直接耦合

基本放大电路-2

1、 下列电路中,高频特性最好的电路是( )。

A:共射电路
B:共基电路
C:共集电路
D:放大电路
答案: 共基电路

2、 在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是:( )。

A:共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小
B:共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小
C:共基极电路的AV最小、RI最小、RO最大
D:共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大

       


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