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第二章 常用半导体器件原理 常用半导体器件原理
1、 问题:N型半导体是在纯净半导体中掺入____；
选项：
A:带正电的离子
B:三价元素，如硼等
C:五价元素，如磷等
D:带负电的电子
答案: 【五价元素，如磷等】
2、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
选项：
A:放大
B:饱和
C:截止
D:损坏
答案: 【截止 】
3、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
选项：
A:放大
B:截止
C:饱和
D:损坏
答案: 【截止】
4、 问题:图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
选项：
A:N沟道结型
B:N沟增强型MOS
C:N沟耗尽型MOS
D:P沟耗尽型MOS
答案: 【N沟增强型MOS】
5、 问题:图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
选项：
A:N沟道结型
B:P沟道结型
C:N沟道绝缘栅型增强型MOS
D:P沟道绝缘栅型耗尽型MOS
答案: 【N沟道结型】
6、 问题:图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
选项：
A:P沟道结型
B:N沟道结型
C:P沟道耗尽型MOS
D:P沟道增强型MOS
答案: 【P沟道耗尽型MOS】
7、 问题:晶体管工作在放大区时，发射结为____
选项：
A:正向偏置
B:反向偏置
C:零偏置
D:无
答案: 【正向偏置 】
8、 问题:晶体管工作在饱和区时，集电结为____
选项：
A:零偏置
B:正向偏置
C:反向偏置
D:无
答案: 【正向偏置】
9、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
选项：
A:放大
B:截止
C:饱和
D:损坏
答案: 【放大】
10、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
选项：
A:饱和
B:放大
C:截止
D:损坏
答案: 【放大】
11、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
选项：
A:饱和
B:截止
C:损坏）
D:放大
答案: 【放大】
12、 问题:在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____
选项：
A:温度
B:杂质浓度
C:掺杂工艺
D:无
答案: 【杂质浓度】
13、 问题:电路如图所示，ui=0.1sinwt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管rd的动态电阻将____。
选项：
A:保持不变
B:增大
C:减小
D:无
答案: 【减小】
14、 问题:随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线将___
选项：
A:上移
B:下移
C:左移
D:右移
答案: 【上移】
15、 问题:在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是
选项：
A:发射极
B:基极
C:集电极
D:无
答案: 【发射极】
16、 问题:设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态
选项：
A:饱和
B:截止
C:放大
D:倒置
答案: 【截止】
17、 问题:在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____
选项：
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:无
答案: 【温度】
18、 问题:电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝0V， 波形如图____所示。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【
】
19、 问题:场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____
选项：
A:大
B:小
C:相等
D:无
答案: 【小】
20、 问题:在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。电极①是____
选项：
A:发射极
B:基极
C:集电极
D:漏极
答案: 【集电极】
21、 问题:设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态
选项：
A:截止
B:饱和
C:放大
D:倒置
答案: 【放大】
22、 问题:在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；
选项：
A:不变
B:减小
C:增大
D:无
答案: 【增大 】
23、 问题:在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。
选项：
A:减小
B:增大
C:不变）
D:无
答案: 【减小】
24、 问题:电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝-10V， 波形如图____所示。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【
】
25、 问题:电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝10V， 波形如图____所示。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【
】
26、 问题:稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态，它不允许工作在正向导通状态
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
27、 问题:P型半导体带正电，N型半导体带负电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
28、 问题:场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
29、 问题:在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（ ）
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
30、 问题:PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
31、 问题:PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
32、 问题:掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
33、 问题:本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都增加，但增量相同。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
34、 问题:小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
35、 问题:双极型晶体管具有NPN或PNP对称结构，所以发射极和集电极也可以互换
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
36、 问题:场效应晶体管是电压控制电流器件
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
37、 问题:单极型晶体管交流输入电阻只和交流参数有关和直流参数无关
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
38、 问题:锗管PNP管工作在放大状态时其集电结直流偏置电压大于0
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
39、 问题:锗管PNP管工作在饱和状态时，其集电结直流偏置电压大于0
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
40、 问题: N沟道场效应管是靠空穴导电的
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
41、 问题:P沟道场效应管是靠空穴导电的
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
42、 问题:场效应管的电流放大系数是gm
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
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