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起止时间:2020-03-07到2020-06-30
更新状态:已完结
第二章：常用半导体器件原理、特性及参数 常用半导体器件原理、特性及参数
1、 N 型半导体是在本征半导体内掺入
A:三价元素, 如硼等
B:四价元素, 如锗等
C:五价元素, 如磷等
D:二价元素
答案: 五价元素, 如磷等
2、 双极型晶体三极管工作在放大区的条件是
A:e结正偏, c结正偏
B:e结反偏, c结正偏
C:e结正偏, c结反偏
D:e结反偏, c结反偏
答案: e结正偏, c结反偏
3、 测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以及各管脚为
A:锗管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
B:锗管, U3对应为基极b, U2对应为发射极e, U1对应为集电极c
C:硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
D:硅管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
答案: 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
4、 测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及β值为
A:NPN管
B:PNP管
C:PNP管
D:NPN管
答案: NPN管
5、 某管特性曲线如下图所示, 则该为
A:P沟道增强型MOS场效应管
B:N沟道结型场效应管
C:N沟道耗尽型MOS场效应管
D:N沟道增强型MOS场效应管
答案: N沟道增强型MOS场效应管
6、 N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴
A:正确
B:错误
答案: 正确
7、 漂移电流与电场强度成正比
A:正确
B:错误
答案: 正确
8、 扩散电流与载流子浓度梯度成正比
A:正确
B:错误
答案: 正确
9、 二极管电路如下图，当E=4V, 电流表指示I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管
A:正确
B:错误
答案: 正确
10、 本征半导体温度升高后自由电子和空穴浓度增大, 但二者仍然相等
A:正确
B:错误
答案: 正确
11、 施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子
A:正确
B:错误
答案: 正确
12、 二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2–0.3V
A:正确
B:错误
答案: 正确
13、 二极管所加正向电压增大时, 其动态电阻增大
A:正确
B:错误
答案: 错误
14、 只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用
A:正确
B:错误
答案: 错误
15、 二极管最重要的特性是单向导电性,在整流、限幅、电平选择、开关等应用中,一定要保证不能反向击穿
A:正确
B:错误
答案: 正确
16、 PN结加正向偏压时, 其耗尽层变厚, 加反向偏压时, 其耗尽层变薄
A:正确
B:错误
答案: 错误
17、 温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
A:正确
B:错误
答案: 正确
18、 稳压管电路如下图, 若Ui=20V, RL=250Ω, 稳压管击穿电压UZ=10V, 限流电阻R=100Ω, 则稳压管流过的工作电流为60mA
A:正确
B:错误
答案: 正确
19、 理想二极管的正向导通电阻为零, 反向截止阻抗为无穷大
A:正确
B:错误
答案: 正确
20、 双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系
A:正确
B:错误
答案: 正确
21、 场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系
A:正确
B:错误
答案: 正确
22、 双极型晶体三极管的集电极与发射极可以互换使用
A:正确
B:错误
答案: 错误
23、 结型场效应管的漏极与源极可互换使用
A:正确
B:错误
答案: 正确
24、 场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大
A:正确
B:错误
答案: 正确
25、 无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随着基极电流增大而增大
A:正确
B:错误
答案: 错误
26、 场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力
A:正确
B:错误
答案: 正确
27、 在相同工艺和外加电压情况下, MOS场效应管的尺寸越大(即宽长比W/L越大),漏极电流将越大, 跨导gm也越大
A:正确
B:错误
答案: 正确
28、 MOS场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强
A:正确
B:错误
答案: 正确
第三章：双极型晶体管和场效应管放大器基础 双极型晶体管和场效应管放大器
1、 放大电路如下图如示, 则该放大器增益近似等于
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