弹箩搓烧汞褐卑挛虏负瞧卷蔚
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起止时间:2020-03-11到2020-06-17
更新状态:已完结
第1章 绪 论 绪论测验题
1、 当输入信号频率为fL或fH时，放大电路增益的幅值约下降为通带内水平增益的 。
A:0.5倍
B:0.7倍
C:0.9倍
D:1倍
答案: 0.7倍
2、 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kW的负载电阻后，输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为 。
A:10 kW
B:2 kW
C:1kW
D:0.5kW
答案: 1kW
3、 已知某信号源内阻为1kW，未接放大电路时测得信号源电压为10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV，说明放大电路的输入电阻为 。
A:5 kW
B:4 kW
C:2kW
D:1kW
答案: 4 kW
4、 已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是－10V～＋10V，若放大电路的通带电压增益是40dB，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是 。
A:－0.1V～＋0.1V
B:－0.25V～＋0.25V
C:－0.5V～＋0.5V
D:－1.0V～＋1.0V
答案: －0.1V～＋0.1V
5、 信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：也就是在时域波形中任何一点的幅值放大的倍数完全相同，否则信号会失真。
6、 只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：传输特性曲线无法反映不同频率信号输入和输出的关系，也就是说，传输特性曲线是线性的，也可能会有线性失真（频率失真）。
7、 用放大电路放大正弦波信号时，只有可能出现非线性失真，不可能出现频率失真。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：只有复合频率的信号通过放大电路时才会出现频率失真，正弦信号是单频率信号，所以不会出现频率失真，但会出现由于放大电路非线性关系导致的非线性失真。
8、 放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：放大电路只有在通带之内，增益才基本和频率无关，超过通带的频率范围，放大电路的增益就会下降。
9、 放大电路中的符号“^”表示接大地的“地”。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：放大电路中的地符号表示电路中的公共参考点，定义为零点位，不一定是大地的地。
10、 放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：能量不能无中生有，输出信号中增加的能量来自放大电路的电源，所以放大电路也称为能量控制部件。
11、 同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时，实际的放大能力常常是不同的。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：由于放大电路的输入电阻通常不是无穷大或零，输出电阻也不会是零或无穷大，所以对于不同的非理想信号源和不同的负载，放大电路的实际增益会有不同。也就是说，在实际信号放大过程中，放大电路的实际增益与输入电阻和输出电阻有关。
12、 放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：还有功率增益。
第3章 二极管及其基本电路 二极管及其基本电路测验题
1、 半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
A:自由电子
B:共价键中价电子
C:正离子
D:负离子
答案: 共价键中价电子
2、 N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 。
A:自由电子，空穴
B:空穴，自由电子
C:自由电子，正离子
D:空穴，负离子
E:空穴，正离子
F:自由电子，负离子
答案: 自由电子，空穴
3、 PN结内电场方向是由 。
A:N区指向P区
B:P区指向N区
C:不确定
D:与外加电压有关
答案: N区指向P区
4、 PN结正偏是指 。
A:N区电位高于P区
B:P区电位高于N区
C:P区和N区电位相等
D:与外加电压无关
答案: P区电位高于N区
5、 二极管正偏时应重点关注 ，反偏时应重点关注 。
A:导通电流和耗散功率，最大反向电压
B:最高工作频率，最大反向电压
C:最高工作频率，导通电流和耗散功率
D:结电容，最高工作频率
E:最大反向电压，结电容
答案: 导通电流和耗散功率，最大反向电压
6、 齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:放大
答案: 反向击穿
7、 点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 ，变容二极管正常工作时应加 。
A:正偏电压，反偏电压，反偏电压
B:正偏电压，反偏电压，零偏压
C:反偏电压，正偏电压，正偏电压
D:反偏电压，正偏电压，反偏电压
E:正偏电压，正偏电压，反偏电压
答案: 正偏电压，反偏电压，反偏电压
8、 已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd = 。
A:19.2 kΩ
B:1 kΩ
C:52 kΩ
D:52 Ω
答案: 52 Ω
9、 设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
A:10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B:10mA，1mA；9.3mA，3mA
C:1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
D:10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
答案: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
10、 12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。
A:240mA，24V
B:120mA，12V
C:120mA，36V
D:360mA，36V
答案: 120mA，36V
11、 电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为 ，整流电流应为 。
A:220V，0.99A
B:220V，2.2A
C:
D:
答案:
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