电子技术(河南农业大学)中国大学MOOC答案100分最新完整版

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起止时间:2021-03-01到2021-06-30
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第1章 半导体器件 第一章测验

1、 三极管工作于放大状态的条件是( )

A:发射结正偏,集电结反偏
B:发射结正偏,集电结正偏
C:发射结反偏,集电结反偏
D:发射结反偏,集电结正偏
答案: 发射结正偏,集电结反偏

2、 场效应管的工作原理是( )

A:输入电流控制输出电流
B:输入电流控制输出电压
C:输入电压控制输出电压
D:输入电压控制输出电流
答案: 输入电压控制输出电流

3、 半导体二极管加正向电压时,( )

A:电流大电阻小
B:电流大电阻大
C:电流小电阻小
D:电流小电阻大
答案: 电流大电阻小

4、 测某电路中三极管各极电位分别是0V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是( ),该管是( )。

A:E、C、B
B:C、B、E
C:B、C、E
D:PNP
E:NPN
答案: B、C、E;
PNP

5、 测某电路中三极管各极电位分别是0V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是( )。

A:E、C、B
B:C、B、E
C:B、C、E
D:C、E、B
答案: B、C、E

6、 测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是( )

A:E、B、C
B:B、C、E
C:B、E、C
D:E、C、B
答案: B、E、C

7、 在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为12V,3.7V,3V,则它是 ( )

A:NPN 型硅管
B:NPN 型锗管
C:PNP 型硅管
D:PNP 型锗管
答案: NPN 型硅管

8、 工作在放大区的某三极管,如果当 IB 从 12μA 增大到 22μA 时,IC 从 1mA 变为 2mA,那么它的β约为

A:83
B:91
C:100
D:80
答案: 100

9、 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为( )。

A:β增加,ICBO,和 uBE减小
B:β和ICBO增加,uBE减小
C:β和uBE减小,ICBO增加
D:β、ICBO和uBE都增加
答案: β和ICBO增加,uBE减小

10、 对P型半导体而言,下列说法正确的是( )

A:带正电
B:带负电
C:不带电
D:不确定
答案: 不带电

11、 场效应管是一个( )的器件。

A:电流控制电流
B:电压控制电流
C:电压控制电压
D:电流控制电压
答案: 电压控制电流

12、 在放大电路中,若测得晶体管三个极的电位为8V,2.8V,3.5V,则这三个极分别为( )

A:C,B, E
B:C,E,B
C:E,C,B
D:E,B,C
答案: C,E,B

13、 预使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻俞小俞好,反向电阻俞大俞好。

A:正确
B:错误
答案: 正确

14、 N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

A:正确
B:错误
答案: 错误

15、 漂移电流是正向电流,它有少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。

A:正确
B:错误
答案: 错误

16、 所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为无穷大,等效成断开;

A:正确
B:错误
答案: 正确

17、 三极管是电压控制元件,场效应管是电流控制元件。

A:正确
B:错误
答案: 错误

18、 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结反偏,集电结正偏。

A:正确
B:错误
答案: 错误

19、 当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic增加,发射结压降减小。

A:正确
B:错误
答案: 正确

20、 P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。

A:正确
B:错误
答案: 错误

21、 反向电流是由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。(√)

A:正确
B:错误
答案: 正确

22、 PN结正偏时截止,反偏时导通,所以PN结具有单向导电性。

A:正确
B:错误
答案: 错误

23、 稳压二极管的反向击穿是不可逆的。

A:正确
B:错误
答案: 错误

第2章 基本放大电路 第2章测验

1、 射极输出器()

A:有电流放大,无电压放大
B:有电压放大,无电流放大
C:无电流和电压放大
D:有电流和电压放大
答案: 有电流放大,无电压放大

2、 在共发射极基本放大电路中,若静态工作点设置过高,会引起()

A:截止失真
B:饱和失真
C:不失真
D:线性失真
答案: 饱和失真

       


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