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第一章 单元测试
1、 半导体电阻率的范围通常为 （ ）Ω·cm
A:
B:
C:＞10
D:＞＞10
答案:
2、 半导体的特性包括 （ ）
A:杂质敏感性
B:光敏感性
C:温度敏感性
D:导通特性
答案: 杂质敏感性
光敏感性
温度敏感性
3、 随着温度升高，半导体的电阻率一定升高 （ ）
A:对
B:错
答案: 错
4、 半导体材料的电阻率，跨越了非常大的范围，使得我们能够通过各种效应来对它们进行调制，比如，我们可以通过掺杂改变半导体的电阻率（ ）
A:对
B:错
答案: 对
5、 摩尔定律，是指单位面积的集成电路上晶体管数目，或者说集成电路的集成度，每18个月要增加一倍。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
第二章 单元测试
1、 半导体材料最常见的晶体结构不包括（ ）
A:金刚石型结构
B:闪锌矿型结构
C:纤锌矿型结构
D:密堆积结构
答案: 密堆积结构
2、 描述晶体结构的最小体积重复单元的是（ ）
A:晶胞
B:原胞
C:单胞
D:基矢
答案: 原胞
3、 正四面体的对称操作有（ ）个
A:8
B:16
C:24
D:32
答案: 24
4、 晶体结构的基本特点不包括 （ ）
A:各向异性
B:周期性
C:重复性
D:单一性
答案: 各向异性
单一性
5、 各向异性不是晶体的基本特性之一。 （ ）
A:对
B:错
答案: 错
第三章 单元测试
1、 每个布里渊区的体积均相等，都等于倒格子 （ ） 的体积。
A:原胞
B:单胞
C:晶胞
D:晶体
答案: 原胞
2、 周期性边界条件决定了电子的波矢K在第 （ ） 布里渊区内可取值数量与晶体的初基元胞数N相等。
A:一
B:二
C:三
D:四
答案: 一
3、 布里渊区的特点不包括 ( )
A:各个布里渊区的形状都不相同
B:各布里渊区经过适当的平移，都可移到第一布里渊区且与之重合
C:每个布里渊区的体积都不相等
D:晶体结构的布喇菲格子虽然相同，但其布里渊区形状却不会相同
答案: 每个布里渊区的体积都不相等
晶体结构的布喇菲格子虽然相同，但其布里渊区形状却不会相同
4、 对于一定的布喇菲晶格，基矢的选择是不唯一的，但是对应的倒格子空间是唯一的。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
5、 存在布里渊区经过任何的平移都无法移到第一布里渊区且与之重合。 ( )
A:对
B:错
答案: 错
第四章 单元测试
1、 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化, 则具有这种能带结构的半导体称为 （ ）
A:直接禁带半导体
B:简介禁带半导体
C:宽禁带半导体
D:窄禁带半导体
答案: 直接禁带半导体
2、 固体能带论的三个基本近似不包括（ ）
A:绝热近似
B:玻尔兹曼近似
C:单电子近似
D:周期场近似
答案: 玻尔兹曼近似
3、 依照量子自由电子论，下列不是K 空间中电子的等能面的是（ ）
A:球面
B:椭球面
C:抛物面
D:不规则曲面
答案: 椭球面
抛物面
不规则曲面
4、 硅材料的能带结构和锗材料的能带结构相同。 （ ）
A:对
B:错
答案: 错
5、 根据能带理论，电子的能态密度随能量变化的趋势是随能量增高而单调增大。 （ ）
A:对
B:错
答案: 错
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