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起止时间:2019-02-22到2019-07-27
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第2讲 （第2章 晶体二极管及应用电路 续） 第二章测试
1、 N型半导体是在本征半导体中掺入（ ）
A:五价元素
B:四价元素
C:三价元素
D:二价元素
答案: 五价元素
2、 P型半导体是在本征半导体中掺入（ ）
A:五价元素
B:四价元素
C:三价元素
D:二价元素
答案: 三价元素
3、 当温度升高时，二极管的反向饱和电流会 （ ） 。
A:增大
B:减小
C:不变
D:随机态
答案: 增大
4、 当温度升高时，二极管导通压降会（ ） 。
A:增大
B: 减小
C:不变
D:随机态
答案: 减小
5、 PN结电容包括（ ）。
A:势垒电容和扩散电容
B:耦合电容和旁路电容
C:垒电容和耦合电容
D:散电容和旁路电容
答案: 势垒电容和扩散电容
6、 本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
A:正确
B:错误
答案: 正确
7、 P型半导体带正电，N型半导体带负电。
A:正确
B:错误
答案: 错误
8、 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
A:正确
B:错误
答案: 正确
9、 PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
A:正确
B:错误
答案: 正确
10、 在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
A:正确
B:错误
答案: 正确
第三章 测试 第三章 测试 (题库中有约50题，每次随机抽取15题）
1、 晶体管工作在放大区时，具有如下特点
A:发射结正偏，集电结反偏。
B:发射结反偏，集电结正偏。
C:发射结正偏，集电结正偏。
D:发射结反偏，集电结反偏。
答案: 发射结正偏，集电结反偏。
2、 晶体管工作在饱和区时，具有如下特点
A:发射结正偏，集电结反偏。
B:发射结反偏，集电结正偏。
C:发射结正偏，集电结正偏。
D:发射结反偏，集电结反偏。
答案: 发射结正偏，集电结正偏。
3、 在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。
A:共射
B:共集
C:共基
D:不确定，取决于外围电路。
答案: 共集
4、 对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为______。
A:RB开路
B: RC开路
C:RB短路
D:RB过小
答案: RB开路
5、 对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈0时，有可能是因为__。
A:RB开路
B: RC开路
C:RB短路
D:RB过小
答案: RB过小
6、 对于下图所示放大电路，当VCC=12V，RC=2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA。用直流电压表测时UCE=8V，这说明______。
A:电路工作正常
B:三极管工作不正常
C:电容Ci短路
D:电容Co短路
答案: 电容Co短路
7、 对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，仅当RB增大时，UCEQ将______。
A:增大
B: 减小
C:不变
D:不确定
答案: 增大
8、 对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，若仅当RC减小时，UCEQ将______。
A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
答案: 增大
9、 对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，若仅当RL增大时，UCEQ将______。
A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
答案: 不变
10、 对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，若仅更换一个β较小的三极管时，UCEQ将______。
A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
答案: 增大
11、 对于下图所示放大电路中，输入电压ui为余弦信号，若输入耦合电容Ci短路，则该电路______。
A:正常放大
B:出现饱和失真
C:出现截止失真
D:不确定
答案: 出现截止失真
12、 对于NPN组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压_失真。
A:顶部
B:低部
C:顶部和底部
D:不确定
答案: 低部
13、 当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流iB的波形将__。
A:正半波削波
B:负半波削波
C:双向削波
D:不削波
答案: 不削波
14、 当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则集电极电流iC的波形将___。
A:正半波削波
B:负半波削波
C:双向削波
D:不削波
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