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起止时间:2021-03-01到2021-07-01
更新状态:每5天更新一次
第一周：第0章绪言、第1章半导体二极管及其应用 第一章单元测试
1、 本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度。
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 等于
2、 p型半导体中的自由电子浓度_____空穴浓度
A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定
答案: 小于
3、 N型半导体中的自由电子浓度 ___空穴浓度
A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定
答案: 大于
4、 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于
A:温度
B:晶体缺陷
C:掺杂工艺
D:掺杂浓度
答案: 掺杂浓度
5、 在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大
A:温度
B:晶体缺陷
C:掺杂工艺
D:掺杂浓度
答案: 温度
6、 N型半导体 _____
A:带正电
B:带负电
C:呈中性
D:不确定
答案: 呈中性
7、 P型半导体_
A:呈中性
B:带负电
C:带正电
D:不确定
答案: 呈中性
8、 当PN结正向偏置时，扩散电流 漂移电流
A:大于
B:等于
C:不确定
D:小于
答案: 大于
9、 当PN结正向偏置时，耗尽层的厚度_
A:变窄
B:变宽
C:不确定
D:不变
答案: 变窄
10、 当PN结反向偏置时，扩散电流 漂移电流
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 小于
11、 当PN结反向偏置时，耗尽层的厚度______
A:不确定
B:变宽
C:变窄
D:不变
答案: 变宽
12、 当环境温度升髙时，二极管的正向电压将__
A:减小
B:增大
C:不确定
D:不变
答案: 减小
13、 当环境温度升髙时，二极管的反向电流将____
A:减小
B:不确定
C:不变
D:增加
答案: 增加
14、 半导体中，漂移电流是在 __作用下形成的
答案: 电场
15、 半导体中，扩散电流是在 作用下形成的
答案: 浓度差
16、 二极管最主要的特点是
答案: 单向导电性
17、 在室温(27t)时，锗二极管的死区电压约 V
答案: 0.1
18、 锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约_____V
答案: 0.3
19、 硅二极管的死区电压约 V
答案: 0.5
20、 硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V
答案: 0.7
21、 硅稳压管稳压电路稳压工作时，稳压管工作在 状态
答案: 反向电击穿
22、 
答案: 1.3
23、 
答案: 6.7
24、 
答案: 0.7
25、 
答案: 6
26、 
答案: 14
27、 
答案: 0
28、 
答案: -1.3
29、 
答案: 2
30、 
答案: 1.3
31、 
答案: -2
第三周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题（1）
1、 晶体管能够放大的外部条件是 。
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 发射结正偏，集电结反偏
2、 当晶体管工作于饱和状态时，其 。
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 发射结正偏，集电结正偏
3、 硅晶体管的死区电压约为 。
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D: 0.5V
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