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起止时间:2020-03-09到2020-07-01
更新状态:已完结
第1章 硅片的制备 第一讲测验
1、 硅平面工艺的基本单项工艺主要包括：
A:氧化
B:扩散掺杂
C:光刻
D:蒸镀金属
答案: 氧化;
扩散掺杂;
光刻;
蒸镀金属
2、 单晶硅的制备方法主要包括：
A:直拉法（CZ）法
B:辅助（AD）法
C:磁控直拉法（MCZ）法
D:悬浮区熔法（FZ）法
答案: 直拉法（CZ）法;
磁控直拉法（MCZ）法;
悬浮区熔法（FZ）法
3、 用于制备IC的硅片常用晶向为：
A:（101）
B:（110）
C:（111）
D:（100）
答案: （111）;
（100）
4、 硅晶体中的缺陷主要包括：
A:零维点缺陷
B:一维线缺陷
C:二维面缺陷
D:三维体缺陷
答案: 零维点缺陷;
一维线缺陷;
二维面缺陷;
三维体缺陷
5、 下面哪种是硅晶体中的点缺陷？
A:硅晶体中的磷杂质
B:晶体中的带一个正电的空位
C:硅晶体有少量的钠
D:层错
答案: 硅晶体中的磷杂质;
晶体中的带一个正电的空位;
硅晶体有少量的钠
6、 关于晶体中的缺陷，下面哪种说法是正确的？
A:空位是在晶体某个位置的可移动的点缺陷
B:滑移是线缺陷的一种主要运动形式
C:晶体硅的层错多发生在（111）面
D:为达到所设计的电学特性可以将杂质硼无限制掺入硅晶体
答案: 空位是在晶体某个位置的可移动的点缺陷;
滑移是线缺陷的一种主要运动形式;
晶体硅的层错多发生在（111）面
7、 晶体的掺杂浓度分为：
A:弱掺杂
B:轻掺杂
C:中掺杂
D:重掺杂
答案: 轻掺杂;
中掺杂;
重掺杂
8、 制备单晶过程中，籽晶的主要作用有：
A:籽晶
B:样本
C:母晶
D:晶核
答案: 样本;
晶核
9、 关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法哪种正确？
A:拉制过程可以多次缩颈
B:目的是彻底终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
C:目的是终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
D:缩颈就是为了好玩儿
答案: 拉制过程可以多次缩颈;
目的是彻底终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸;
目的是终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
10、 硅片加工工艺流程主要包括：
A:滚磨、定晶向
B:切片、倒角
C:研磨、腐蚀
D:抛光、检验
答案: 滚磨、定晶向;
切片、倒角;
研磨、腐蚀;
抛光、检验
第三讲，介绍第3章 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 第三讲 作业
1、 通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
A:掺氯氧化
B:干氧
C:干氧-湿氧-干氧
D:低压氧化
答案: 干氧-湿氧-干氧
2、 关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
A:生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B:温度升高氧化速率迅速增加
C:（111）硅比（100）硅氧化得快
D:有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E:生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F:生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
3、 制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
A:正确
B:错误
答案: 错误
4、 热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
答案: 水汽、湿氧、干氧
5、 热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）
答案: 分凝
第四讲 介绍第4章 扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。 第四讲 作业
1、
A:图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
B:图（a）、（b）都是限定源扩散
C:图（a）、（b）都是恒定源扩散
D:图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散
答案: 图（a）、（b）都是限定源扩散
2、 扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸 ，这是 效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A:大，横向扩散
B:小，横向扩散
C:大，场助扩散
D:大，氧化增强
答案: 大，横向扩散
3、 扩散系数在何时不可以看成是常数：
A:在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B:在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C:在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D:在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
答案: 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；;
在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
4、 一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：D1t1>>D2t2，杂质近似服从余误差分布
5、 在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩 分钟。（只保留整数）
答案: 104
第五讲 介绍第5章 离子注入，包括：离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等，共八节内容 第五讲 作业
1、 在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。
A:沟道效应，<
B:沟道效应，>
C:横向效应，<
D:横向效应，>
答案: 沟道效应，>
2、 形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
A:不可以
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