材料科学基础(西安科技大学) 2024智慧树满分答案

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(。◕‿◕。)

第一章 单元测试

1、判断题:
电磁力是原子间作用力的主要来源形式。

A:对
B:错
答案:

2、判断题:
均匀形核与非均匀形核的临界晶核尺寸是相等的。

A:对
B:错
答案:

3、判断题:
晶体的空间点阵是无限多种,但晶体结构是有限的。

A:对
B:错
答案:

4、判断题:
面心立方晶体结构与密排六方晶体结构的致密度和配位数均相等。

A:对
B:错
答案:

5、多选题:
sigma键的特点是()

A:成键原子的电子云以肩并肩的方式
B:成键原子的电子云以头碰头的方式
C:键能相对较强
D:键长相对较短
答案: 成键原子的电子云以头碰头的方式;键能相对较强;键长相对较短

6、多选题:
碳在γ-Fe一般存在于Fe的八面体间隙中,理论是可以溶解的碳的质量分数为(  ),实际中碳在Fe中的最大溶解度的质量分数为(  )

A:50%
B:2.11%
C:30%
D:17.6%
答案: 2.11%;17.6%

7、多选题:

与晶面族{123}等价的晶面包括以下哪些?

A:(123)
B:(132)
C:(321)
D:(312)
答案: (123);(132);(321);(312)

8、单选题:
金属的塑性较好,从微观角度讲主要是因为()

A:位错的形成和运动
B:晶面之间容易发生滑移
C:金属键中的自由电子被所有原子共享
D:金属原子易于运动
答案: 金属键中的自由电子被所有原子共享

9、单选题:
立方晶系中,晶胞中原子数最多的是哪一种点阵类型?( )

A:简单立方
B:面心立方
C:体心立方
D:底心立方
答案: 面心立方

第二章 单元测试

1、单选题:
晶体缺陷不包括()

A:0维点缺陷 
B:一维线缺陷
C:二维面缺陷
D:三维体缺陷
答案: 三维体缺陷

2、判断题:
位错是由晶体的两个原子面错排导致的。

A:对
B:错
答案:

3、判断题:
伯氏矢量可用来表征位错的方向。

A:对
B:错
答案:

4、判断题:
刃型位错的滑移面是由位错线与柏氏矢量所构成的平面,且是惟一的。

A:对
B:错
答案:

5、多选题:
关于位错的攀移的描述中正确的是():

A:刃型位错存在攀移运动
B:螺型位错不会发生攀移
C:攀移比滑移需要的能量高
D: 攀移是位错滑移运动的结果
答案: 刃型位错存在攀移运动;螺型位错不会发生攀移;攀移比滑移需要的能量高

6、多选题:
位错的交割带来的影响有()

A:影响位错进一步的运动
B:影响材料的强度等性能
C:两条位错线交割后,经常产生一段曲折线段
D:位错的交割又可细分为割阶与扭折
答案: 影响位错进一步的运动;影响材料的强度等性能;两条位错线交割后,经常产生一段曲折线段;位错的交割又可细分为割阶与扭折

7、判断题:
研究位错的应变场应同时包括位错中心区和非中心区。

A:对
B:错
答案:

8、判断题:
位错的应变能总是与材料的弹性模量成正相关关系。

A:对
B:错
答案:

9、单选题:
关于位错的线张力的描述错误的是():

A:线张力与材料弹性模量成正比  
B:线张力与伯氏矢量的模的平方成正比
C:线张力与弯曲半径r成反比 
D:线张力与材料的泊松比成反比
答案: 线张力与材料的泊松比成反比

10、多选题:
柯氏气团的作用包括():

A:降低了晶体的应变能
B:提高了位错的稳定性  
C:使位错线运动变得困难
D:导致晶体的塑性变形能力(屈服强度)提高
答案: 降低了晶体的应变能;提高了位错的稳定性  ;使位错线运动变得困难;导致晶体的塑性变形能力(屈服强度)提高


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