知到智慧树 模拟电子技术（中南大学） 答案满分完整版章节测试

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第一章 单元测试

1、
BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A:错
B:对
答案: 错

2、
稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A:对
B:错
答案: 错

3、
要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（           ）。

A:发射结反偏，集电结正偏
B:发射结正偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结正偏
D:发射结反偏，集电结反偏
答案: 发射结正偏，集电结反偏

4、
工作在放大区的某晶体三极管，如果当I_B从12μA增大到22μA时，I_C从1mA变为2mA，那么它的β 约为（       ）。

A:50
B:90
C:83
D:100
答案: 100

5、
在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（          ）。

A:C、E、B
B:C、B、E
C:E、B、C
D:E、C、B
答案: E、B、C

6、

A:4.3

B:5.7
C:73
D:8.7
答案: 5.7

7、
设某增强型N沟道MOS管U_GS（th）=3V，试问当它的栅源电压u_GS=2.5V时，该管处于 （       ）区。

A:截止
B:可变电阻

C:放大
D:击穿
答案: 截止

8、

A:b
B:d
C:c
D:a
答案: c;a

9、

A:c
B:a
C:b
D:d
答案: c;a

10、

A:c
B:a
C:d
D:b
答案: d;b

第二章 单元测试

1、
阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。

A:对
B:错
答案: 对

2、
耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（       ）

A:对
B:错
答案: 错

3、

A:0.7
B:12
C:0.5
D:6
答案: 12

4、
设某增强型N沟道MOS管U_GS（th）=3V，试问当它的栅源电压u_GS=2.5V时，该管处于 （       ）状态。

A:放大
B:饱和
C:击穿
D:截止
答案: 截止

5、

A:5.7
B:6
C:4.03
D:4.24
答案: 4.03

6、

A:= -1200
B:=1200
C:<1200
D:>1200
答案: <1200

7、

A:100
B:40
C:10
答案: 100

8、

现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（       ）。

A:共漏电路
B:共集电路
C:共射电路
D:共源电路
E:共基电路
答案: 共漏电路;共集电路;共射电路;共源电路

9、

A:
B:
C:                                            
D:
答案: ;                                            ;

10、
在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（       ）耦合不能放大直流信号。

A:阻容
B:变压器
C:直接
答案: 阻容;变压器

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