患康姆尝蜡膏叔驶络皑赣巢钳
第一讲 半导体导论
01-02 杂质半导体
1、单选题:
N型半导体中的多子是()。
A: 电子
B: 空穴
C: 正离子
D: 负离子
答案: 电子
2、单选题:
P型半导体中的多子是()。
A: 电子
B: 空穴
C: 正离子
D: 负离子
答案: 空穴
3、单选题:
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A: 掺杂工艺
B: 杂质浓度
C: 晶体缺陷
D: 温度
答案: 杂质浓度
4、单选题:
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() 。
A: 温度
B: 掺杂工艺
C: 杂质浓度
D: 晶体缺陷
答案: 温度
5、单选题:
在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。
A: 五价
B: 四价
C: 三价
D: 任意
答案: 五价
6、单选题:
在本征半导体中加入()元素可形成P型半导体。
A: 五价
B: 四价
C: 三价
D: 任意
答案: 三价
7、判断题:
P型半导体带正电,N型半导体带负电。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
8、判断题:
在N型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
01-03 PN结
1、单选题:
在下列说法中只有()说法是正确的。
A: P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得
B: 在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体
C: P型半导体带正电,N型半导体带负电
D: PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的
答案: 在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体
2、单选题:
在下列说法中只有()说法是正确的。
A: 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的
B: 由于PN结交界面两边存在电位差,所以,当把PN结两端短路时就有电流流过
C: PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性
D: 扩散电流是少子运动产生的
答案: 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的
3、单选题:
当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 不确定
答案: 大于
4、单选题:
当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流。
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 不确定
答案: 小于
5、单选题:
下列说法正确的是()。
A: PN结正偏导通,反偏导通
B: PN结正偏截止,反偏导通
C: PN结正偏导通,反偏截止
D: PN结正偏截止,反偏截止
答案: PN结正偏导通,反偏截止
6、单选题:
当P型半导体和N型半导体相接触时,在P型和N型半导体交界处,形成一个区域,下列的哪种名称不能描述该区域?
A: 阻挡层
B: 耗尽层
C: 空间电荷区
D: 突变层
答案: 突变层
7、单选题:
一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中()。
A: 有微弱电流
B: 无电流
C: 有瞬间微弱电流
D: 有较大电流
答案: 无电流
8、判断题:
PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
本征半导体
1、单选题:
在绝对零度(0 K)时,本征半导体中()载流子。
A: 有
B: 没有
C: 少数
D: 多数
答案: 没有
2、单选题:
在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生()。
A: 负离子
B: 空穴
C: 正离子
D: 电子-空穴对
答案: 电子-空穴对
3、单选题:
半导体中的载流子为()。
A: 电子
B: 空穴
C: 正离子
D: 电子和空穴
答案: 电子和空穴
4、单选题:
半导体中的空穴是( )。
A: 半导体中的晶格缺陷形成的
B: 电子脱离共价键后留下的空位
C: 带正电的离子
D: 外部注入
答案: 电子脱离共价键后留下的空位
5、判断题:
本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
6、判断题:
半导体中的空穴带正电。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
第二讲 二极管基础
02-01 二极管的组成
1、单选题:
半导体二极管的重要特性之一是()。
A: 温度稳定性
B: 单向导电性
C: 放大作用
D: 滤波特性
答案: 单向导电性
2、判断题:
整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
3、判断题:
在高频电路中的检波管通常采用点接触型二极管。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
02-02 二极管的伏安特性
1、单选题:
在如图所示的电路中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V1=10V,则电路中的电流I的值将是()。
A: I = 2mA
B: I < 2mA
C: I > 2mA
D: I = 0mA
答案: I > 2mA
2、单选题:
二极管两端电压大于()电压时,二极管才导通。
A: 击穿电压
B: 死区
C: 饱和
D: 0V
答案: 死区
3、单选题:
在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而()。
A: 增大
B: 不变
C: 减小
D: 不确定
答案: 增大
4、单选题:
用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的()电阻,由于不同量程时通过二极管的电流(),所测得正向电阻阻值()。
A: 静态、相同、相同
B: 动态,相同,相同
C: 静态,不同,不同
D: 动态,不同,不同
答案: 静态,不同,不同
5、单选题:
设某二极管在正向电流ID=10mA时,其正向压降UD=0.6V。当二极管的结温升高10℃,若要UD保持不变,则ID的值为()。
A: 小于10mA
B: 大于10mA
C: 等于10mA
D: 不确定
答案: 大于10mA
6、单选题:
设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是()。
A:
B:
C:
D:
答案:
7、单选题:
在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS≈0.1pA,则在35ºC时,下列哪组数据可能正确。
A: Uth≈0.525V,IS≈0.05pA
B: Uth≈0.525V,IS≈0.2pA
C: Uth≈0.475V,IS≈0.05pA
D: Uth≈0.475V,IS≈0.2pA
答案: Uth≈0.475V,IS≈0.2pA
8、单选题:
设某二极管反向电压为10V时,反向电流为 0.1μA 。在保持反向电压不变的条件下,当二极管的结温升高10℃,反向电流大约为( )。
A: 0.05μA
B: 0.1μA
C: 0.2μA
D: 1μA
答案: 0.2μA
02-03 二极管的主要参数
1、单选题:
关于二极管的反向电流,下列说法正确的是()。
A: 反向电流越大越好
B: 反向电流越大二极管的单向导电性越好
C: 反向电流越大二极管的温度稳定性越不好
D: 反向电流越大二极管的温度稳定性越好
答案: 反向电流越大二极管的温度稳定性越不好
2、单选题:
若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为()。
A: 正、反向电阻相等
B: 正向电阻大,反向电阻小
C: 反向电阻远大于正向电阻
D: 正、反向电阻都很大
答案: 反向电阻远大于正向电阻
3、单选题:
当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的()。
A: 多数载流子浓度增大
B: 少数载流子浓度增大
C: 多数载流子浓度减小
D: 少数载流子浓度减小
答案: 少数载流子浓度增大
4、判断题:
二极管只要反偏,必然截至。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
5、判断题:
二极管的单向导电性与信号频率无关。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
第三讲 二极管电路分析及应用
03-01 二极管电路分析思路
1、判断题:
电路的静态和动态之间相互独立,没有联系。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
2、判断题:
在电子电路分析过程中,应先动态后静态。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
3、填空题:
将放大电路没有交流信号输入,只有直流电源单独作用的状态称为 。
答案: 静态
4、填空题:
将放大电路有交流信号输入的状态称为 。
答案: 动态
03-02 二极管电路图解分析方法
1、单选题:
下图所示二极管电路及负载线,当增大VDD时,静态工作点将()移动。
A: 向上
B: 向下
C: 不动
D: 不确定
答案: 向上
2、单选题:
下图所示二极管电路及负载线,当增大R时,静态工作点将()移动。
A: 向上
B: 向下
C: 不动
D: 不确定
答案: 向下
3、判断题:
图解法可以非常直观的反映电路参数与性能的关系。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
4、判断题:
只要静态工作点位置合适,交流信号就一定不会进入非线性区。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
03-03 二极管等效模型
1、单选题:
二极管折线模型可等效为下列()线性网络。
A:
B:
C:
D:
答案:
2、单选题:
在下图所示电路中的电阻R保持不变,ui=0.2sinωt(V)。当直流电源V增大时,二极管D的动态电阻rd将()。
A: 不变
B: 增大
C: 减小
D: 不确定
答案: 减小
3、单选题:
下列哪一个公式可以估算折线模型中的二极管动态电阻()。
A:
B:
C:
D:
答案:
4、多选题:
二极管等效模型在以下哪些情况不能使用()。(注:多选)
A: 静态工作点位于线性区
B: 静态工作点位于非线性区
C: 交流小信号
D: 交流大信号
答案: 静态工作点位于非线性区;
交流大信号
5、判断题:
二极管恒压降模型中的电源意味着二极管是一个供能元件。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
03-04 二极管等效模型分析法
1、单选题:
电路如图所示。试估算A点的电位为()。(设二极管的正向导通压降为0.7V。)
A: 6.7V
B: 6V
C: 5.7V
D: -6.7V
答案: 6.7V
2、单选题:
二极管电路如图所示,其中二极管为理想二极管,则电路的输出电压Vo为 ()。
A: 5.6V
B: -4.3V
C: -5V
D: 6V
答案: -5V
3、单选题:
在如图所示电路中,计算可得流过二极管的电流ID为()。(设二极管导通时的正向压降UD=0.7V)。
A: 0mA
B: 3.6mA
C: 2.75mA
D: 4.8mA
答案: 2.75mA
4、单选题:
电路如图所示,D1,D2 均为理想二极,设 U1 =10 V,ui = 40 sinωt, 则输出电压 uO 应为()。
A: 最大值为 40V,最小值为 0V
B: 最大值为 40V,最小值为 +10V
C: 最大值为 10V,最小值为 -40V
D: 最大值为 10V,最小值为 0V
答案: 最大值为 10V,最小值为 0V
5、单选题:
估算如图所示电路中,流过二极管的电流ID为 ()。(设二极管D正向导通压降UD=0.7V)
A: 约1.3mA
B: 约2.3mA
C: 约4 mA
D: 约1.8 mA
答案: 约1.3mA
03-05 常见二极管应用电路
1、单选题:
电路如图所示,设二极管D1,D2,D3的正向压降忽略不计,则输出电压uO =( )。
A: -2V
B: 0V
C: 6V
D: 12V
答案: -2V
2、单选题:
图中二极管可视为理想二极管,A、B、C三个灯具有完全相同的特性,其中最亮的灯是( )。
A: A
B: B
C: C
D: 一样亮
答案: B
3、单选题:
二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为()。 (设二极管的导通压降为0.7V。)
A: 0V
B: -0.7V
C: -1.7V
D: 1V
答案: -0.7V
4、单选题:
在如图所示电路中,二极管是理想的,电阻R=6Ω。当普通指针式万用表置于R×1Ω档时,用黑表笔(正电)接A点,红表笔(负电)接B点,则万用表的指示值为()。
A: 18Ω
B: 9Ω
C: 3Ω
D: 2Ω
答案: 18Ω
5、填空题:
图中各二极管的导通压降均为0.7V,UO= V。
答案: 7.3
第四讲 其他类型的二极管
04-01 稳压二极管基础
1、单选题:
以下哪个符号是稳压二极管的符号()。
A:
B:
C:
D:
答案:
2、单选题:
稳压管的稳压区是其工作在()区。
A: 正向导通
B: 死区
C: 反向截止
D: 反向击穿
答案: 反向击穿
3、单选题:
某只硅稳压管的稳定电压Uz = 4V,其两端施加的电压分别为+5V(正向偏置)和-5V(反向偏置)时,稳压管两端的最终电压分别为()。
A: +5V和-5V
B: -5V和+4V
C: +4V和-0.7V
D: +0.7V和-4V
答案: +0.7V和-4V
4、单选题:
稳压二极管构成的稳压电路,其正确接法是()。
A: 稳压管与负载电阻串联
B: 限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管串联
C: 稳压管与负载电阻并联
D: 限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管并联
答案: 限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管并联
5、判断题:
稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
04-02 稳压二极管的应用
1、单选题:
设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,可求出图中电路的输出电压Vo为()。
A: 13V
B: 5V
C: 8V
D: 1.4V
答案: 13V
2、单选题:
设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,可求出图中电路的输出电压Vo为()。
A: 4.3V
B: 8V
C: 5V
D: 0.7V
答案: 5V
3、单选题:
设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,可求出图中电路的输出电压Vo为()。
A: 4.3V
B: 8V
C: 5V
D: 0.7V
答案: 0.7V
4、单选题:
在如图所示电路中,已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为()。
A: 1V
B: 6V
C: 13V
D: 7V
答案: 1V
5、单选题:
在如图所示电路中,已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为()。
A: 6V
B: 7V
C: 5V
D: 1V
答案: 5V
6、单选题:
下图所示电路中,稳压管DZ的稳定电压VZ = 6V,最小稳定电流Izmin = 5mA,输入电压VI = 12V,电阻R=100Ω,在稳定条件下IL的数值最大不应超过()。
A: 40mA
B: 45mA
C: 55mA
D: 60mA
答案: 55mA
04-03 其他类型的二极管
1、单选题:
能够进行光电转换的二极管是()。
A: 发光二极管
B: 光电二极管
C: 稳压二极管
D: 变容二极管
答案: 光电二极管
2、单选题:
发光二极管的符号是()。
A:
B:
C:
D:
答案:
3、判断题:
变容二极管是利用二极管的结电容可变的原理工作的。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
4、判断题:
普通二极管也可以稳压()。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
5、判断题:
所有的二极管都工作在正偏状态()。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
第五讲 双极型晶体管
05-01 晶体管的结构和工作原理
1、单选题:
NPN型晶体管的符号是()。
A:
B:
C:
D:
答案:
2、单选题:
PNP型晶体管的符号是()。
A:
B:
C:
D:
答案:
3、单选题:
晶体管有( )个PN结。
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 2
4、多选题:
晶体管的三个极为()。(注:多选)
A: 阳极
B: 基极
C: 发射极
D: 集电极
答案: 基极 ;
发射极 ;
集电极
5、判断题:
晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
05-02 晶体管的放大原理
1、单选题:
工作在放大状态的某PNP晶体管,各电极电位关系为()。
A: VC<VB<VE
B: VC>VB>VE
C: VC<VE<VB
D: VC>VE>VB
答案: VC<VB<VE
2、单选题:
晶体管在放大状态时,其电压偏置条件为()。
A: 集电结正向偏置、发射结正向偏置
B: 集电结正向偏置、发射结反向偏置
C: 集电结反向偏置、发射结反向偏置
D: 集电结反向偏置、发射结正向偏置
答案: 集电结反向偏置、发射结正向偏置
3、单选题:
双极型晶体管的电流是由()运动形成的。
A: 多子
B: 少子
C: 多子和少子两种载流子
D: 自由电子
答案: 多子和少子两种载流子
4、单选题:
在某放大电路中三极管工作在放大状态,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。
A: NPN 型硅管
B: NPN 型锗管
C: PNP 型硅管
D: PNP 型锗管
答案: NPN 型硅管
5、单选题:
NPN型三极管放大电路中,测得三极管三个引脚对地电位分别是:UA=3.3V,UB=4V,UC=6V,则A、B、C对应的电极是()。
A: C,B,E
B: B,C,E
C: E,C,B
D: E,B,C
答案: E,B,C
6、单选题:
下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力()。
A: IE=βIB
B: IC=αIB
C: IC=βIB
D: IE=αIB
答案: IC=βIB
7、判断题:
双极型三极管由两个PN结构成,因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
8、判断题:
晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体,所以发射极和集电极可以调换使用。
A: 正确
B: 错误
答案: 错误
05-03 晶体管的伏安特性
1、单选题:
晶体管是( )器件。
A: 电流控制电流
B: 电流控制电压
C: 电压控制电压
D: 电压控制电流
答案: 电流控制电流
2、单选题:
管压降UCE增大,共发射极接法的晶体管的输入特性曲线()。
A: 左移
B: 右移
C: 上移
D: 下移
答案: 右移
3、单选题:
晶体管的输出特性描述的是当()为常数时,()随()变化的函数。
A: Ic Ib Uce
B: Ib Ic Uce
C: Uce Ib Ube
D: Uce Ic Ib
答案: Ib Ic Uce
4、单选题:
某晶体三极管的IB 从20μA变化到40μA时,对应的IC从2mA变化到5mA,则该管的β等于()。
A: 100
B: 150
C: 200
D: 300
答案: 150
5、判断题:
对于小功率晶体管,可以用UCE大于1V的一条输入特性曲线来取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
A: 正确
B: 错误
答案: 正确
05-04 晶体管的工作区
1、单选题:
已知某晶体管UBE=0.7V,UCE=3V,则该管工作在()区。
A: 放大
B: 饱和
C: 截止
D: 击穿
答案: 放大
2、单选题:
在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态,最简单的是测量()。
A: IB
B: UCE
C: UBE
D: IC
答案: UCE
3、单选题:
当晶体管工作在截止区,发射结和集电结偏置状态应为()。
A: 前者正偏,后者也正偏
B: 前者正偏,后者反偏
C: 前者反偏,后者正偏
D: 前者反偏,后者也反偏
答案: 前者反偏,后者也反偏
4、单选题:
PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是()。
A: UBE>0,UCB>0
B: UBE>0,UCB<0
C: UBE<0,UCB>0
D: UBE<0,UCB<0
答案: UBE>0,UCB<0
5、单选题:
晶体管的开关作用是()。
A: 饱和时集-射极断开,截止时集-射极断开
B: 饱和时集-射极断开,截止时集-射极接通
C: 饱和时集-射极接通,截止时集-射极断开
D: 饱和时集-射极接通,截止时集-射极接通
答案: 饱和时集-射极接通,截止时集-射极断开
6、单选题:
某放大电路如图所示。设VCC>>UBE,ICEO≈0,则在静态时该三极管处于()。
A: 放大区
B: 饱和区
C: 截止区
D: 区域不定
答案: 饱和区
7、单选题:
如图所示的电路中的三极管β=50,通过估算,可判断电路工作在()区。
A: 放大区
B: 饱和区
C: 截止区
D: 击穿区
答案: 截止区
8、单选题:
在如图所示共射放大电路中,三极管β=50,UBE=-0.2。问:当开关与A处相接时,三极管处于()状态。
A: 放大
B: 饱和
C: 截止
D: 击穿
答案: 饱和
05-05 晶体管的主要参数
1、单选题:
温度上升时,半导体三级管的()。
A: β和UBE增大,ICBO减小
B: β和ICBO增大,UBE下降
C: β减小,ICBO和UBE增大
D: β、ICBO和UBE均增大
答案: β和ICBO增大,UBE下降
2、单选题:
某晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,UBR(CEO)=30V,若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时,则工作电流分别不得超过()。
A: 100mA,100mA
B: 15mA,100mA
C: 15mA,150mA
D: 100mA,15mA
答案: 15mA,100mA
3、单选题:
3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA,发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V,集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW,使用时测得其集电极电流IC=15mA,UCE=10V,则该管()。
A: 工作正常
B: 放大能力较差
C: 击穿
D: 管子过热甚至烧坏
答案: 管子过热甚至烧坏
4、单选题:
测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA,晶体管的共射电流放大系数β()。
A: 60
B: 61
C: 100
D: 50
答案: 60
5、单选题:
晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将()。
A: 增加
B: 下降
C: 不变
D: 不确定
答案: 下降
6、单选题:
三极管的反向电流ICBO是由()运动产生的。
A: 多数载流子
B: 少数载流子
C: 多数载流子和少数载流子
D: 不确定
答案: 少数载流子
7、单选题:
温度升高时,放大电路中的晶体管的输出特性曲线将()。
A: 上移并间距缩小
B: 下移并间距增大
C: 上移并间距增大
D: 下移并间距缩小
答案: 上移并间距增大
8、单选题:
某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管()。
A: 处于放大区域
B: 处于饱和区域
C: 处于截止区域
D: 已损坏
答案: 已损坏
Test1 二极管和晶体管
1、单选题:
N型半导体中的多数载流子是()。
A: 空穴
B: 自由电子
C: 正离子
D: 负离子
答案: 自由电子
2、单选题:
P型半导体中的多数载流子是()。
A: 空穴
B: 自由电子
C: 正离子
D: 负离子
答案: 空穴
3、单选题:
P型半导体()。
A: 带正电
B: 带负电
C: 呈中性
D: 不确定
答案: 呈中性
4、单选题:
PN结中扩散电流的方向是()。
A: 从P区到N区
B: 从N区到P区
C: 双向流动
D: 随机变化
答案: 从P区到N区
5、单选题:
PN结中漂移电流的方向是()。
A: 从P区到N区
B: 从N区到P区
C: 双向流动
D: 变化
答案: 从N区到P区
6、单选题:
当PN结外加反向电压时,耗尽层()。
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 不确定
答案: 变宽
7、单选题:
当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的() 。
A: 多数载流子浓度增大
B: 少数载流子浓度增大
C: 多数载流子浓度减小
D: 少数载流子浓度减小
答案: 少数载流子浓度增大
8、单选题:
万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R×1k档,测量同一二极管,则其正向电阻值()。
A: 增加
B: 不变
C: 减小
D: 不能确定
答案: 增加
9、单选题:
用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为()。
A: BCE
B: EBC
C: CEB
D: CBE
答案: CBE
10、单选题:
用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为()。
A: BCE
B: EBC
C: BEC
D: CBE
答案: BEC
11、单选题:
在放大电路中,若测得某管的三个极电位分别为–2.5V、–3.2V、–9V,这三极管的类型是( )。
A: PNP型Ge管
B: PNP型Si管
C: NPN型Ge管
D: NPN型Si管
答案: PNP型Si管
12、单选题:
在放大电路中,若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V,这三极管的类型是( )。
A: PNP型Ge管
B: PNP型Si管
C: NPN型Ge管
D: NPN型Si管
答案: NPN型Ge管
13、单选题:
一个NPN管在电路中正常工作,现测得:UBE>0,UBC>0, UCE>0,则此管工作区为()。
A: 饱和区
B: 截止区
C: 放大区
D: 不确定
答案: 饱和区
14、单选题:
电路图如图所示,设二极管的导通电压均为0.7V,则D1,D2,D3三个二极管的状态分别为()。
A: 均导通
B: 截止 导通 截止
C: 导通 导通 截止
D: 导通 截止 导通
答案: 导通 截止 导通
15、单选题:
如图所示的电路中的三极管为硅管,β=50,通过估算,可判断电路工作在()区。
A: 放大区
B: 饱和区
C: 截止区
D: 不确定
答案: 饱和区
16、单选题:
二极管电路如图a所示。在输入ui的作用下(ui波形如图b所示),其输出波形为()。
A:
B:
C:
D:
答案:
17、单选题:
判断右图电路中各二极管是否导通后,可求出VAO值为()。(设二极管的正向压降VF为0.7V。)
A: 5V
B: -6.3V
C: 6.3V
D: -5.3V
答案: -5.3V
18、单选题:
在如图所示电路中,计算可得流过二极管的电流ID为()。(设二极管导通时的正向压降UD=0.7V)。
A: 0mA
B: 3.6mA
C: 2.75mA
D: 4.8mA
答案: 0mA
19、单选题:
一个NPN管在电路中正常工作,现测得UBE>0,UBC<0,UCE>0,则此管工作区为( )。
A: 饱和区
B: 截止区
C: 放大区
D: 不确定
答案: 放大区
20、单选题:
晶体管的控制方式为()。
A: 电流控制电压
B: 电流控制电流
C: 电压控制电流
D: 电压控制电压
答案: 电流控制电流
21、单选题:
在如下电路中,已知二极管的反向击穿电压为300V,当U=100V、温度为20°C时,I=1μA。则当U降低到50V时,则I约为()。
A: 0.1μA
B: 0.5μA
C: 1μA
D: 2μA
答案: 1μA
22、单选题:
在如下电路中,已知二极管的反向击穿电压为300V,当U=100V、温度为20°C时,I=1μA。当U保持100V不变,温度降低到10°C时,则I约为()。
A: 0.1μA
B: 0.5μA
C: 1μA
D: 2μA
答案: 0.5μA
23、单选题:
如下电路中的晶体管为硅管,β=100,则晶体管的工作状态为()。
A: 放大
B: 截止
C: 饱和
D: 不确定
答案: 截止
24、单选题:
如下电路中的晶体管为硅管,β=100,则晶体管的工作状态为()。
A: 放大
B: 截止
C: 饱和
D: 不确定
答案: 放大
25、填空题:
已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,下图所示电路中的UO1为()V。
答案: 6
26、填空题:
上方为免费预览版答案,如需购买完整答案,请点击下方红字:
为了方便下次阅读,建议在浏览器添加书签收藏本网页
添加书签方法:
1.电脑按键盘的Ctrl键+D键即可收藏本网页
2.手机浏览器可以添加书签收藏本网页
点击浏览器底部菜单-【添加书签】-收藏本网页
点击浏览器底部菜单-【书签/历史】-可查看本网页
获取更多慕课答案,欢迎在浏览器访问我们的网站:
http://mooc.mengmianren.com
注:请切换至英文输入法输入域名,如果没有成功进入网站,请输入完整域名:http://mooc.mengmianren.com/
我们的公众号
打开手机微信,扫一扫下方二维码,关注微信公众号:萌面人APP
本公众号可查看各种网课答案,还可免费查看大学教材答案
点击这里,可查看公众号功能介绍
APP下载
APP功能说明
1.可查看各种网课答案
点击【萌面人官网】,可查看知到智慧树,超星尔雅学习通,学堂在线等网课答案
点击【中国大学慕课答案】,可查看mooc慕课答案
2.可一键领取淘宝/天猫/京东/拼多多无门槛优惠券
如图所示,点击对应图标即可领取淘宝/天猫/京东/拼多多无门槛优惠券
缴凯绍奖些滩父拨庞靡卵台频